交換結合膜及び前記交換結合膜を用いた磁気検出素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001219426
Publication number (International publication number)：2003031870
Application date： Jul. 19, 2001
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：

【要約】【目的】従来におけるシードレイヤはCrを40at%以下含んだNiFeCr合金で形成されていたが、今後の高記録密度化に伴って前記シードレイヤ表面の濡れ性をさらに高めることが要望され、またNiFeCrのシードレイヤを使用すると、前記シードレイヤ上の各層表面の平滑性が悪化した。【構成】シードレイヤ22を、少なくとも一部に非晶質相を含んだ15Å以上で50Å以下の膜厚からなるCrで形成する。これによってシードレイヤ22表面の濡れ性を従来に比べて飛躍的に向上させることができ、固定磁性層3における一方向性交換バイアス磁界を大きくでき、また前記シードレイヤ上の各層の表面の平滑性を良好にすることが可能になる。

Claim (excerpt)：

下からシードレイヤ、反強磁性層、強磁性層の順に積層され、前記反強磁性層と強磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記シードレイヤはCrで形成され、少なくとも一部に非晶質相を含んでいることを特徴とする交換結合膜。

IPC (4)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/32

FI (4)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/32 , G01R 33/06 R

F-Term (9)：

2G017AC01 , 2G017AD55 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA03 , 5D034CA03 , 5E049BA16 , 5E049DB04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気抵抗効果センサ、磁気抵抗検出システム及び磁気記憶システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-112220 Applicant：日本電気株式会社
磁気抵抗効果膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-310579 Applicant：三洋電機株式会社
磁気抵抗効果素子と、それを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生ヘッドおよび磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-229736 Applicant：株式会社東芝

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