Bi系酸化物超伝導薄膜の製造方法とBi系酸化物超伝導薄膜構造体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人サクラ国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2015107188
Publication number (International publication number)：2016222467
Application date： May. 27, 2015
Publication date： Dec. 28, 2016
Summary：

【課題】c軸を斜め配向させたBi系酸化物超伝導薄膜を再現性よく得ることを可能にしたBi系酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】Bi系酸化物超伝導薄膜の製造方法においては、ペロブスカイト型結晶、疑似ペロブスカイト型結晶、または岩塩型結晶の2回対称の結晶面CFから3°以上25°以下の角度βで傾斜した表面SSを有する酸化物の単結晶基板1を用意する。単結晶基板1の表面SSにBi系酸化物超伝導体結晶を成長させて、Bi系酸化物超伝導薄膜2を成膜する。Bi系酸化物超伝導体結晶のc軸を、単結晶基板1の結晶面CFから所定の角度α1で斜め方向に、かつ表面SSの結晶面CFからの傾斜角βに基づいて1方向のみに成長させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト型結晶、疑似ペロブスカイト型結晶、または岩塩型結晶の2回対称の結晶面から3°以上25°以下の角度で傾斜した表面を有するペロブスカイト型、疑似ペロブスカイト型、または岩塩型の酸化物単結晶基板を用意する工程と、前記酸化物単結晶基板の前記表面にBi系酸化物超伝導体結晶を成長させて、Bi系酸化物超伝導薄膜を成膜する工程を具備し、前記Bi系酸化物超伝導体結晶のc軸を、前記結晶面から所定の角度で斜め方向に、かつ前記表面の前記結晶面からの傾斜角に基づいて1方向のみに成長させて、前記Bi系酸化物超伝導薄膜を成膜することを特徴とするBi系酸化物超伝導薄膜の製造方法。

IPC (1)：

C30B 29/22

FI (1)：

C30B29/22 501J

F-Term (11)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BC58 , 4G077DB08 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA08 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 4G077TK01 , 4G077TK06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

特開平4-231399
超電導素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-261516 Applicant：株式会社東芝
多結晶薄膜の製造方法と酸化物超電導導体の製造方法および多結晶薄膜の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-291404 Applicant：株式会社フジクラ

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