Art

J-GLOBAL ID：201802213685250919   Reference number：18A1061131

Miniaturization of MEMS Capacitive Accelerometers Fabricated Using Silicon-on-insulator-MEMS Technology

シリコンオンインシュレータMEMS技術を用いて作製したMEMS容量加速度計の小型化

Author (2)： LIU Jiannan (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN) ,  MURO Hideo (Chiba Inst. of Technol., Chiba, JPN)
Material： Sensors and Materials  (Sens Mater)
Volume： 30  Issue： 5 (2)  Page： 1081-1090  Publication year： 2018 
JST Material Number： L0338A  ISSN： 0914-4935  CODEN： SENMER  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor process ,  *MEMS ,  capacity ,  *resonance frequency ,  *accelerometer ,  Miniaturization ,  sensitivity (ratio) ,  microaccelerograph ,  beam profile ,  modification
Semi thesaurus term： *silicon-on-insulator ,  beam profile

JST classification (1)： Measuring methods and instruments of time,speed,acceleration,angular veloc?  (AD05040K)

Reference (15)：

• A. Bertolini, R. DeSalvo, F. Fidecaro, and A. Takamori: IEEE Trans. Geosci. Remote Sens. 44 (2006) 273.
• F. A. Levinzon: IEEE/ASME J. Microelectromech. Syst. 12 (2012) 2262.
• A. Partridge, J. K. Reynolds, B. W. Chui, E. M. Chow, A. M. Fitzgerald, L. Zhang, N. I. Maluf, and T. W. Kenny: IEEE/ASME J. Microelectromech. Syst. 9 (2000) 58.
• Y. Li, Q. Zheng, Y. Hu, and J. Young: IEEE/ASME J. Microelectromech. Syst. 20 (2011) 83.
• P. Monajemi and F. Ayazi: IEEE Sens. J. 6 (2006) 39.

Terms in the title (4)： シリコンオンインシュレータ ,  MEMS ,  作製 ,  加速度計