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J-GLOBAL ID：201802219889814286   Reference number：18A2149233

Electrical Conductivity of Si-DLC films prepared by HiPIMS combined with PBII system

PBIIシステムと組み合わせたHiPIMSで作製したSi-DLC膜の電気伝導度

Author (4)： SHIBATA Y. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KIMURA T. (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  NAKAO S. (AIST-Chubu, Nagoya, JPN) ,  AZUMA K. (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
Material： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proc Int Symp Dry Process)
Volume： 40th  Page： 159-160  Publication year： 2018 
JST Material Number： Y0378B  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *electrical conductivity ,  *silicon ,  *content (quantity) ,  *DLC film ,  thin film growth ,  *magnetron sputtering ,  *plasma ,  *ion implantation ,  plasma CVD ,  plasma production ,  hard ,  friction coefficient ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  *dense plasma
Semi thesaurus term： *HiPIMS

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Carbon and its compounds  (YB02060D)

Terms in the title (3)： HiPIMS ,  作製 ,  電気伝導度