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J-GLOBAL ID：201802221176220889   Reference number：18A1330568

Temperature dependence on plasma-induced damage and chemical reactions in GaN etching processes using chlorine plasma

塩素プラズマを用いたGaNエッチングプロセスにおけるプラズマ誘起ダメージと化学反応の温度依存性

Author (8)： LIU Zecheng (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA Kenji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IMAMURA Masato (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TSUTSUMI Takayoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KONDO Hiroki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ODA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKINE Makoto (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HORI Masaru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 6S2  Page： 06JD01.1-06JD01.6  Publication year： Jun. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *chlorine ,  *plasma etching ,  *gallium nitride ,  *radiation damage ,  *chemical reaction ,  temperature dependence ,  machining speed ,  atomic force microscope ,  carrier mobility
Semi thesaurus term： *plasma damage ,  etch rate ,  AFM (microscope) ,  electron mobility

JST classification (2)： Applications of plasma  (BJ02110K) ,  Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Reference (51)：

• H. Kawai, S. Yagi, S. Hirata, F. Nakamura, T. Saito, Y. Kamiyama, M. Yamamoto, H. Amano, V. Unni, and E. M. S. Narayanan, Phys. Status Solidi A 214, 1600834 (2017).
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• M. Sugiura, M. Kushimoto, T. Mitsunari, K. Yamashita, Y. Honda, H. Amano, Y. Inoue, H. Mimura, T. Aoki, and T. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys. 55, 05FJ02 (2016).
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• D. Basak, K. Yamashita, T. Sugahara, Q. Fareed, D. Nakagawa, K. Nishino, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2646 (1999).

Terms in the title (8)： 塩素 ,  プラズマ ,  GaN ,  エッチングプロセス ,  誘起 ,  ダメージ ,  化学反応 ,  温度依存性