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J-GLOBAL ID：201802229125008082   Reference number：18A1700625

THVPE法を用いたN極性GaNの高温成長

Author (8)： OZEKI DAISUKE (東京農工大 大学院工学府) ,  TAKEKAWA NAO (東京農工大 大学院工学府) ,  KAWAMOTO NAOYA (東京農工大 大学院工学府) ,  YAMAGUCHI AKIRA (大陽日酸) ,  MURAKAMI HISASHI (東京農工大 大学院工学府) ,  KUMAGAI YOSHINAO (東京農工大 大学院工学府) ,  MATSUMOTO KO (大陽日酸) ,  KOKITSU AKINORI (東京農工大 大学院工学府)
Material： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
Volume： 79th  Page： ROMBUNNO.21p-146-3  Publication year： Sep. 05, 2018 
JST Material Number： Y0055B  ISSN： 2758-4704  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  polarity ,  compound semiconductor ,  semiconductor material ,  *epitaxy ,  thick film ,  gallium chloride ,  semiconductor thin film ,  thin film growth ,  growth rate ,  X-ray diffractometry ,  half-value width ,  substrate temperature
Semi thesaurus term： *THVPE【薄膜成長】 ,  三塩化ガリウム

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： 極性 ,  GaN ,  成長