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J-GLOBAL ID：201802236617738541   Reference number：18A0917631

High external quantum efficiency (10%) AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes achieved by using highly reflective photonic crystal on p-AlGaN contact layer

p-AlGaNコンタクト層上の高反射フォトニック結晶を用いた高い外部量子効率(10%)AlGaN系深紫外発光ダイオード

Author (14)： KASHIMA Yukio (RIKEN, Saitama, JPN) ,  KASHIMA Yukio (Marubun Corp., Tokyo, JPN) ,  MAEDA Noritoshi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  MATSUURA Eriko (RIKEN, Saitama, JPN) ,  MATSUURA Eriko (Marubun Corp., Tokyo, JPN) ,  JO Masafumi (RIKEN, Saitama, JPN) ,  IWAI Takeshi (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, JPN) ,  MORITA Toshiro (Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd., Kawasaki, JPN) ,  KOKUBO Mitsunori (Toshiba Machine Co., Ltd., Shizuoka, JPN) ,  TASHIRO Takaharu (Toshiba Machine Co., Ltd., Shizuoka, JPN) ,  KAMIMURA Ryuichiro (ULVAC, Inc., Kanagawa, JPN) ,  OSADA Yamato (ULVAC, Inc., Kanagawa, JPN) ,  TAKAGI Hideki (AIST, Ibaraki, JPN) ,  HIRAYAMA Hideki (RIKEN, Saitama, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 11  Issue： 1  Page： 012101.1-012101.4  Publication year： Jan. 2018 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum compound ,  *gallium compound ,  *nitride ,  *layer ,  *photonic crystal ,  *quantum efficiency ,  *light emitting diode ,  patterning (transcription) ,  dry etching ,  electrode ,  Magnesium ,  reflectivity ,  *contact layer ,  *deep-ultraviolet light-emitting diode ,  *aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： *AlGaN ,  *external quantum efficiency ,  nanoimprint ,  nickel electrode

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Light emitting devices  (NC03082G) ,  Nonlinear optics  (BD05000T)

Reference (20)：

• H. Hirayama, J. Appl. Phys. 97, 091101 (2005).
• M. Kneissl, in III-Nitride Ultraviolet Emitters, ed. M. Kneissl and J. Rass (Springer, Cham, 2016) Springer Series in Material Science, Vol. 227, Chap. 1.
• A. Fujioka, K. Asada, H. Yamada, T. Ohtsuka, T. Ogawa, T. Kosugi, D. Kishikawa, and T. Mukai, Semicond. Sci. Technol. 29, 084005 (2014).
• A. Fujioka, K. Asada, H. Yamada, T. Ohtsuka, T. Ogawa, T. Kosugi, D. Kishikawa, and T. Mukai, Proc. SPIE 9363, 93631L (2015).
• Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D43, 354002 (2010).

Terms in the title (5)： AlGaN ,  コンタクト層 ,  フォトニック結晶 ,  外部量子効率 ,  深紫外発光ダイオード