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J-GLOBAL ID：201802240874739737   Reference number：18A1056182

Al/Al₂O₃/Cu₂Se/Au構造素子の非対称ヒステリシスI-V特性

Author (3)： EMA YOSHINORI (静岡大 工) ,  OGAWA MANTARO (静岡大 工) ,  TAKAHASHI TAKAHIRO (静岡大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C(Web)
Volume： J101-C  Issue： 2  Page： 119-123 (WEB ONLY)  Publication year： Feb. 01, 2018 
JST Material Number： U0472A  ISSN： 1881-0217  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *Aluminum ,  *alumina ,  *copper selenide ,  *Gold ,  *asymmetry ,  *hysteresis ,  *current-voltage characteristic ,  threshold ,  memory effect ,  conductive property ,  *solid state device

JST classification (1)： Solic-state devices in general  (NC03010Z)

Reference (11)：

• 島久,澤彰仁,“抵抗変化メモリReRAM の技術開発最新動向,” 信学誌,vol.95, no.11, pp.992-997, Nov. 2012.
• 井上公,“RRAM の原理はどこまで理解できたのか?,” 日本物理学会誌,vol.70, no.11, pp.814-823, Nov. 2015.
• 藤崎芳久,“不揮発性半導体メモリー技術の現状,” 応用物理学会誌,vol.77, no.9, pp.1060-1071, Sept. 2008.
• S.M. Sze, “§9.4 MIS tunnel diode, §9.5 MIS switch diode,” Physics of semiconductor devices 2nd-ed., pp.540-553, A Wiley-interscience publication, 1981.
• 森垣和夫,丸山瑛一,清水立生,米沢富美子,広瀬全孝, 田中一宜,菊池誠(監修),田中一宜(編),“§8.2 電気的スイッチおよびメモリ素子,” アモルファス半導体の基礎,pp.175-178, オーム社,1982.

Terms in the title (7)： Al ,  Al2O3 ,  Au ,  構造素子 ,  非対称 ,  ヒステリシス ,  I-V特性