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J-GLOBAL ID：201202281211377212   Reference number：12A1598975

世界的な競争領域にある最先端デバイス技術 2.不揮発性メモリ技術の最前線 2-3 抵抗変化メモリReRAMの技術開発最新動向

Author (2)： SHIMA HISASHI (産業技術総合研 ナノエレクトロニクス研究部門) ,  SAWA AKIHITO (産業技術総合研 電子光技術研究部門)
Material： 電子情報通信学会誌  (Journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers)
Volume： 95  Issue： 11  Page： 992-997  Publication year： Nov. 01, 2012 
JST Material Number： F0019A  ISSN： 0913-5693  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *technological review ,  competitiveness ,  *RAM ,  nonvolatile memory ,  oxide ,  transition metal compound ,  transition metal oxide ,  *resistance random access memory
Semi thesaurus term： global competitiveness ,  *resistance random access memory ,  *resistive random access memory

JST classification (1)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T)

Reference (25)：

• LEE, H.-Y. Low-power switching of nonvolatile resistive memory using hafnium oxide. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 4B, 2175-2179
• KIM, Y.-M. Reproducible resistance switching characteristics of hafnium oxide-based nonvolatile memory devices. J. Appl. Phys. 2008, 104, 114115
• LEE, H. Y. Electrical evidence of unstable anodic interface in Ru/HfO_x/TiN unipolar resistive memory. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 142911
• LEE, H. Y. Low power and high speed bipolar switching with a thin reactive Ti buffer layer in robust HfO_2 based RRAM. IEDM Tech. Dig., 2008. 2008, 297-300
• CHEN, Y. S. Highly scalable Hafnium oxide memory with improvements of resistive distribution and read disturb immunity. IEDM Tech, Dig., 2009. 2009, 105-108

Terms in the title (8)： 世界 ,  競争 ,  最先端 ,  不揮発性メモリ ,  抵抗変化メモリ ,  ReRAM ,  開発 ,  最新動向