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J-GLOBAL ID：201802245873673108   Reference number：18A0118521

Flexible Device Applications Using GaSnO Thin Films

GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用

Author (5)： TAKAGI RYO (龍谷大 理工) ,  UMEDA KENTA (奈良先端科学技術大学院大) ,  MATSUDA TOKIYOSHI (龍谷大 革新的材料・プロセス研究セ) ,  UENUMA MUTSUNORI (奈良先端科学技術大学院大) ,  KIMURA MUTSUMI (龍谷大 理工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 117  Issue： 372(EID2017 11-29)  Page： 23-28  Publication year： Dec. 15, 2017 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium compound ,  *stannate ,  *amorphous semiconductor ,  *semiconductor thin film ,  *RF sputtering ,  magnetron sputtering ,  compound semiconductor ,  flexible circuit board ,  parts ,  room temperature ,  *thermoelectric device ,  *thin film transistor ,  thin film growth ,  performance index
Semi thesaurus term： oxide semiconductor ,  flexible device ,  subthreshold swing

JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Thermoelectric devices  (NC03090J)

Reference (9)：

• M.Nakata, ′′Oxide Thin-Film Transistor Technology and its Application to Flexible Displays′′,IMFEDK 2016, Jun 2016.
• 薄膜材料デバイス研究会編,′′薄膜トランジスタ′′,コロナ社,2008年11月.
• 大村泰久編,′′半導体デバイス工学′′オーム社,2012年9月
• K.Nomura, et al, ′′Room-Temperature Fabrication of Transparent Flexible Thin-Film Transistors Using Amorphous Oxide Semiconductors′′, Nature, 432, pp.488-492 Nov, 2004.
• Y.Fujimoto, et al, ′′Improvement of Thermoelectric Properties of a-InGaZnO Thin Film by Optimizing Carrier Concentration′′, Journal of Electronic Materials, 45, 3, pp.1377-1381, Mar,2016

Terms in the title (3)： 薄膜 ,  フレキシブルデバイス ,  応用