Art

J-GLOBAL ID：201802280044721809   Reference number：18A0910825

Chemical hole doping into large-area transition metal dichalcogenide monolayers using boron-based oxidant

ホウ素系酸化剤を用いた大面積遷移金属ジカルコゲナイド単分子膜への化学的ホールドーピング

Author (12)： MATSUOKA Hirofumi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KANAHASHI Kaito (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TANAKA Naoki (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  SHOJI Yoshiaki (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  LI Lain-Jong (KAUST, Thuwal, SAU) ,  PU Jiang (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  PU Jiang (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ITO Hiroshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHTA Hiromichi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUSHIMA Takanori (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKENOBU Taishi (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 2S2  Page： 02CB15.1-02CB15.4  Publication year： Feb. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *boron compound ,  *oxidizing agent ,  area ,  *chalcogenide ,  *doping ,  chemical process ,  chemical vapor deposition ,  *sheet resistance ,  selenide (chalcogenide) ,  tungsten selenide ,  large area ,  *monolayer ,  *hole doping ,  *transition metal dichalcogenide
Semi thesaurus term： *hole doping ,  *transition metal dichalcogenide

JST classification (2)： Crystal structure of metal oxides and chalcogenides  (BK07020Y) ,  Electric conduction in semiconductors and insulators in general  (BM03041P)

Terms in the title (7)： ホウ素 ,  酸化剤 ,  大面積 ,  遷移金属ジカルコゲナイド ,  単分子膜 ,  化学 ,  ホールドーピング