シリコンウェーハ及びその製造方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木下茂
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015000046
Publication number (International publication number)：2016124756
Patent number：6333182
Application date： Jan. 05, 2015
Publication date： Jul. 11, 2016
Claim (excerpt)：

【請求項1】チョクラルスキー法により、育成するシリコン単結晶インゴット中の酸素を除く不純物のドープ濃度が結晶成長温度における固溶限の1/10以下となるように、石英ルツボに充填したシリコン原料中に前記不純物を添加し、かつ、Grown-in欠陥が生成しないように、引き上げ速度vと引き上げ方向の温度勾配Gの比v/Gを制御して、シリコン単結晶インゴットを引き上げ、前記シリコン単結晶インゴットからウェーハをスライスし、前記ウェーハ表面から前記不純物を熱拡散により導入するシリコンウェーハの製造方法であって、前記不純物が窒素であり、前記シリコン単結晶インゴット引き上げ時のドープ濃度を2×1015atoms/cm3以下とし、前記熱拡散は、ウェーハに、窒素含有雰囲気下、1100°C以上1350°C未満で、5秒間以上保持する急速昇降温熱処理を施すことにより、窒素をウェーハ全面に導入し、その後、ウェーハ表面の全面を深さ10nm以上、かつウェーハ表面の表側面及び裏側面は、窒素濃度が最高となる深さ位置まで除去することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (3)：

C30B 31/08 ( 200 6.01) , C30B 29/06 ( 200 6.01) , C30B 33/02 ( 200 6.01)

FI (3)：

C30B 31/08 , C30B 29/06 502 H , C30B 33/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

シリコンウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2012-007992 Applicant：グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社
特開平2-114534
特開平4-295099

Show all

Return to Previous Page