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J-GLOBAL ID：200903035919193640

シリコン単結晶の製造方法およびシリコンウェーハ

Inventor：
小野 敏昭

About 小野 敏昭

, 
杉村 渉

About 杉村 渉

, 
宝来 正隆

About 宝来 正隆


Applicant, Patent owner：
株式会社SUMCO

About 株式会社SUMCO


Agent (1)： 森 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005204102
Publication number (International publication number)：2006312576
Application date： Jul. 13, 2005
Publication date： Nov. 16, 2006
Summary：
【課題】Grown-in欠陥がなく、かつ酸素析出物(BMD)がウェーハ面に均一に生じる、引き上げ速度範囲幅の広いシリコン単結晶の製造方法、およびそれによるウェーハを提供する。【解決手段】CZ法によりGrown-in欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶の育成において、窒素を1×1012atoms/cm3以上、5×1014atoms/cm3以下、または/および炭素を5×1015atoms/cm3以上、2×1017atoms/cm3以下をドープし、育成装置内の不活性雰囲気中の水素分圧を窒素ドープの場合は40Pa以上400Pa以下、炭素ドープの場合は40Pa以上160Pa以下として、引き上げ速度を選定して育成する。さらに融液中の酸素濃度も制御する。また、このようにして得られた単結晶によるウェーハである。【選択図】図7
Claim (excerpt)：
チョクラルスキー法によりGrown-in欠陥を存在させない無欠陥領域によるシリコン単結晶の育成において、育成装置内の雰囲気ガス中に水素原子含有物質の気体を添加し、さらに結晶内に窒素または/および炭素をドープすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (1)：
C30B 29/06
FI (2)：
C30B29/06 502H ,  C30B29/06 502K
F-Term (13)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EG19 ,  4G077EH09 ,  4G077GA01 ,  4G077HA12 ,  4G077PA03 ,  4G077PE22 ,  4G077PE24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (3)

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