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J-GLOBAL ID：201803004910528298

光バッファ素子構造、その製造方法、およびその解析方法

Inventor： 雨宮 智宏 ,  庄司 雄哉 ,  荒井 滋久 ,  金澤 徹 ,  西山 伸彦 ,  水本 哲弥
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学
Agent (1)： 特許業務法人磯野国際特許商標事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016164148
Publication number (International publication number)：2018031896
Application date： Aug. 24, 2016
Publication date： Mar. 01, 2018
Summary：

【課題】既存のシリコン系集積素子との整合性が良好な光バッファ素子構造、その製造方法、およびその解析方法を提供する。【解決手段】クラッド60に囲まれて光を伝搬するシリコンコア70を有する光導波路80を備えている光素子50である。光素子50の光導波路80は、シリコンコア70の上面部72に凸部74を有している。そして、凸部74に隣接して、負のグースヘンシェンシフトを示すメタマテリアル100を備えている。【選択図】図7

Claim (excerpt)：

クラッドに囲まれて光を伝搬するシリコンコアを有する光導波路を備え、 前記光導波路は、前記シリコンコアの上面部に凸部を有して、 前記凸部に隣接して、負のグースヘンシェンシフトを示すメタマテリアルを備えたことを特徴とする光バッファ素子構造。

IPC (3)：

G02B 6/122 ,  G02B 6/12 ,  G02B 6/13

FI (3)：

G02B6/122 ,  G02B6/12 371 ,  G02B6/13

F-Term (14)：

2H147AB11 ,  2H147AC01 ,  2H147AC17 ,  2H147BA05 ,  2H147EA10B ,  2H147EA10D ,  2H147EA13A ,  2H147EA14B ,  2H147EA15B ,  2H147EA15D ,  2H147FA06 ,  2H147FC03 ,  2H147FC06 ,  2H147FD20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 負のグース-ヘンシェンシフトを利用した光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-231867   Applicant：財団法人中央大学校産学協力団
• 光双安定シリコン・ラマン・レーザーを用いた、デジタル信号の再生、再形成、および、波長変換
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2007-552158   Applicant：インテル・コーポレーション
• 微小集光導波路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-187323   Applicant：日本電信電話株式会社