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J-GLOBAL ID：201803009434887260

MFS型の電界効果トランジスタ

Inventor： 川江 健 ,  徳田 規夫 ,  松本 翼 ,  馬場 一気 ,  柄谷 涼太 ,  中嶋 宇史
Applicant, Patent owner： 国立大学法人金沢大学
Agent (1)： 大谷 嘉一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017052989
Publication number (International publication number)：2018157076
Application date： Mar. 17, 2017
Publication date： Oct. 04, 2018
Summary：

【課題】ドーパントとしてホウ素を用いたダイヤモンドの上に強誘電体を絶縁膜としてゲート電極を形成した電界効果トランジスタの提供を目的とする。【解決手段】ドーパントとしてホウ素を用いたボロンドープダイヤモンドの上に、ゲート絶縁膜として強誘電体が用いられていることを特徴とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

ドーパントとしてホウ素を用いたボロンドープダイヤモンドの上に、ゲート絶縁膜として強誘電体が用いられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/11585 ,  H01L29/78 301B

F-Term (10)：

5F083FR05 ,  5F083GA02 ,  5F083HA10 ,  5F101BA62 ,  5F101BD02 ,  5F101BD12 ,  5F140AA05 ,  5F140AC02 ,  5F140BA04 ,  5F140BD04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ダイヤモンド電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-315608   Applicant：株式会社神戸製鋼所, コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
• 水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-138068   Applicant：国立大学法人金沢大学

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体をゲート絶縁膜としたホウ素ドープダイヤモンドFET構造の作製
• ウェットアニールダイヤモンド(111)上ALD-Al2O3膜を用いたMOSキャパシタの電気的特性
• ウェットアニールダイヤモンド(111)上ALD-Al2O3膜を用いたMOSキャパシタの電気的特性