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J-GLOBAL ID：201803010208017765

シリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法及び装置

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Inventor： 後藤 輝孝 ,  根本 祐一 ,  金田 寛 ,  赤津 光洋 ,  三本 啓輔
Applicant, Patent owner： 国立大学法人 新潟大学
Agent (2)： 牛木 護 ,  高橋 知之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013232352
Publication number (International publication number)：2014168042
Patent number：6291797
Application date： Nov. 08, 2013
Publication date： Sep. 11, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】シリコン試料の同一表面上に対向した一対の表面超音波素子を形成する素子形成工程と、前記シリコン試料を冷却して外部磁場を印加しながら前記表面超音波素子の一方から超音波パルスを発振するとともに前記シリコン試料の表面を伝播した超音波パルスを前記表面超音波素子の他方により受信し、前記表面超音波素子の一方から発振された超音波パルスと前記表面超音波素子の他方により受信された超音波パルスとの位相差を検出する検出工程と、前記位相差に基づき前記シリコン試料の表層の弾性定数Csを求め、温度に対する弾性定数Csの変化又は磁場強度に対する弾性定数Csの変化に基づいて前記シリコン試料の表層中の原子空孔濃度Nを評価する評価工程とを備え、 前記評価工程において、前記シリコン試料の表層の弾性定数Csの低温ソフト化量ΔCs/Csを求め、低温ソフト化量ΔCs/Cs=1×10-4に対して原子空孔濃度N=(1.6±0.2)×1012cm-3が相当することに基いて原子空孔濃度Nを決定することを特徴とするシリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法。

IPC (1)：

H01L 21/66 ( 200 6.01)

FI (1)：

H01L 21/66 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• シリコンウェーハ中に存在する原子空孔の定量評価装置および方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-053229   Applicant：国立大学法人新潟大学, 富士通株式会社, 株式会社SUMCO
• 薄膜の評価方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-197273   Applicant：セイコーエプソン株式会社