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J-GLOBAL ID:201803016121681098
樹脂層付き脆性材料基板の分断方法並びに分断装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鹿島 義雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2017068794
Publication number (International publication number):2018170474
Application date: Mar. 30, 2017
Publication date: Nov. 01, 2018
Summary:
【課題】樹脂層付き脆性材料基板を簡単な工程できれいに分断することのできる分断方法並びに分断装置を提供する。【解決手段】パルスレーザビームのバーストを含むレーザビームL1を、収差を生じさせる収差生成レンズ4cを透過させて収差レーザビームL2に生成し、当該収差レーザビームL2の最集束部を樹脂層付き脆性材料基板Wの母体となる脆性材料基板W1の表面から分断予定ラインに沿ってスキャンして、脆性材料基板W1に強度が低下した改質層Kを形成すると同時に樹脂層W2に分断溝Vを形成し、次いで改質層Kに沿ってブレイク手段を介して樹脂層付き脆性材料基板Wを分断予定ラインに沿って分断する。【選択図】図5
Claim (excerpt):
脆性材料基板の片側の一面に樹脂層を積層させた樹脂層付き脆性材料基板の分断方法であって、
パルスレーザビームのバーストを含むレーザビームを、収差を生じさせる収差生成レンズを透過させて収差レーザビームに生成し、
前記収差レーザビームの最集束部を前記樹脂層付き脆性材料基板の母体となる脆性材料基板の表面から分断予定ラインに沿ってスキャンして、前記脆性材料基板に強度が低下した改質層を形成すると同時に前記樹脂層に分断溝を形成し、
次いで、前記改質層に沿ってブレイク手段を介して前記樹脂層付き脆性材料基板を前記分断予定ラインに沿って分断することを特徴とする樹脂層付き脆性材料基板の分断方法。
IPC (7):
H01L 21/301
, B28D 5/00
, B23K 26/364
, B23K 26/062
, B23K 26/064
, B23K 26/53
, C03B 33/09
FI (9):
H01L21/78 B
, B28D5/00 Z
, B28D5/00 A
, H01L21/78 V
, B23K26/364
, B23K26/0622
, B23K26/064 A
, B23K26/53
, C03B33/09
F-Term (41):
3C069AA02
, 3C069AA03
, 3C069BA00
, 3C069BA08
, 3C069BB01
, 3C069BB04
, 3C069CA05
, 3C069CA06
, 3C069CA11
, 3C069EA02
, 3C069EA05
, 4E168AD02
, 4E168AD18
, 4E168AE01
, 4E168CB03
, 4E168DA02
, 4E168DA23
, 4E168DA24
, 4E168DA37
, 4E168DA46
, 4E168DA54
, 4E168EA05
, 4E168EA11
, 4E168EA23
, 4E168HA01
, 4E168HA09
, 4E168JA14
, 4E168JA17
, 4E168JA28
, 4E168KA08
, 4G015FA06
, 4G015FB01
, 4G015FC02
, 5F063BA07
, 5F063CB07
, 5F063CB26
, 5F063CB28
, 5F063CC23
, 5F063DD32
, 5F063DD79
, 5F063DD81
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
バースト超高速レーザーパルスのフィラメンテーションによりシリコンをレーザー加工する方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2014-243133
Applicant:ロフィン-ジナールテクノロジーズインコーポレイテッド
-
超高速レーザーパルスのバーストを使用して脆弱な材料基板から閉形状を取り除く方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2014-230987
Applicant:ロフィン-ジナールテクノロジーズインコーポレイテッド
-
半導体発光素子の分離方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-279511
Applicant:アイシン精機株式会社, 豊田合成株式会社
-
パターニング基板のブレイク方法並びにブレイク装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2014-200115
Applicant:三星ダイヤモンド工業株式会社
-
分断装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-288391
Applicant:三星ダイヤモンド工業株式会社
-
チップ製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-293223
Applicant:関西日本電気株式会社
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