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J-GLOBAL ID：200903013975699056

半導体発光素子の分離方法

Inventor：
前田 将

About 前田 将

, 
笹木 隆一郎

About 笹木 隆一郎


Applicant, Patent owner：
アイシン精機株式会社

About アイシン精機株式会社

, 
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006279511
Publication number (International publication number)：2008098465
Application date： Oct. 13, 2006
Publication date： Apr. 24, 2008
Summary：
【課題】消耗品であるダイサーやスクライバーを用いない半導体発光素子の分離方法。【解決手段】サファイア基板10の一方の面12に、III族窒化物系化合物半導体発光素子部30をエピタキシャル成長及び電極形成その他により形成し(3.A)、分離線付近に形成された不要部をエッチングより除去した(3.B)。粘着テープ60を接着させ、面11側から、フェムト秒パルスレーザを走査して、溝部50と改質部51乃至54を形成した。直線偏光成分が分離予定面と平行となるように設定した。溝部50と改質部51は分離線方向に連続するように、改質部52乃至54を形成する際は分離線方向に連続しないように走査速度を設定し、改質部54、改質部53、改質部52、溝部50、改質部51の順に形成した(3.C及び3.D)。ブレーキング刃を用いて、外力を加えて個々の素子に分離した(3.E)。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
基板上に形成された半導体発光素子の分離方法において、 パルス幅が10ピコ秒未満であるパルスレーザを前記基板において集光させて、多光子吸収を発生させることにより、 前記基板の表面の分離予定線に沿って、前記パルスレーザにより形成された実質的に分離予定線方向に連続した溝部と、 前記基板の内部の所定の深さに、分離予定面に対応して、前記パルスレーザにより形成された分離予定線方向に連続しない内部改質部とを形成し、 外力を加えて、前記連続した溝部と前記連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離することを特徴とする半導体発光素子の分離方法。
IPC (4)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/301 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/073
FI (4)：
H01L33/00 C ,  H01L21/78 B ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/073
F-Term (7)：
4E068AE01 ,  4E068CD05 ,  4E068DA10 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (10)
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