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J-GLOBAL ID：201803021329386239

単結晶ダイヤモンドの製造方法

Inventor： 山田 英明 ,  茶谷原 昭義 ,  杢野 由明
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 特許業務法人三枝国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013205146
Publication number (International publication number)：2015067516
Patent number：6312236
Application date： Sep. 30, 2013
Publication date： Apr. 13, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 下記の工程を含む単結晶ダイヤモンド基板の製造方法: (1)同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板であって、該種基板のオフ方向と該種基板の稜線のなす角が30度以上、90度以下(但し、<100>方向の稜線と<010>方向の稜線との両方の稜線と前記オフ方向とのなす角が45度である場合を除く。)となるように該種基板の主たる成長面の外周側面が整形加工された複数の種基板を、支持台上に、互いの整形加工された該種基板の側面同士が接触し、該種基板のオフ方向を一致させ、且つ該種基板の主たる成長面が露出する状態となるように載置する工程、 (2)上記(1)工程で支持台上に載置された複数の種基板の主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程。

IPC (3)：

C30B 29/04 ( 200 6.01) ,  C01B 32/26 ( 201 7.01) ,  C23C 16/27 ( 200 6.01)

FI (3)：

C30B 29/04 P ,  C01B 32/26 ,  C23C 16/27

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ダイヤモンドCVD成長用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-316590   Applicant：並木精密宝石株式会社
• 単結晶ダイヤモンド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-402410   Applicant：住友電気工業株式会社