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J-GLOBAL ID:201901009911431770   Update date: Jan. 02, 2023

Haga Ken-ichi

ハガ ケンイチ | Haga Ken-ichi
Affiliation and department:
Research field  (3): Electronic devices and equipment ,  Electric/electronic material engineering ,  Inorganic materials
Research keywords  (7): Oxide semiconductors ,  Sulfide semiconductors ,  Solution process ,  Thin-film transistor ,  Ferroelectric nonvolatile memory ,  All-solid-state Li-ion battery ,  Sulfide solid electrolytes
Research theme for competitive and other funds  (4):
  • 2019 - 単一アナログデバイスと局所的学習則を用いるリアルニューロモーフィックシステム
  • 2017 - 2018 印刷エレクトロニクスに向けたカルコゲナイド系層状物質の溶液プロセスの開拓
  • 2017 - 2018 p型カルコゲナイド半導体の液体プロセスの開発と集積回路への展開
  • 印刷エレクトロニクスに向けた遷移金属ダイカルコゲナイドの化学溶液プロセスの開拓
Papers (11):
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Lectures and oral presentations  (8):
  • Sub-20 Nm Thick Ferroelectric Hf-Zr-O Flims Fabricated by Solution Process for Ferroelectric-Gate TFT Applications
    (薄膜材料デバイス研究会 第16回研究集会 2019)
  • Fabrication of solution processed WS<sub>2</sub> thin flm
    (The 80th JSAP Autumn Meeting, 2019 2019)
  • Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜をシナプスに用いたニューラルネットワーク
    (映像情報メディア学会 2018)
  • Crystallization Mechanism and Crystallographic Orientation Control of (Bi,La)4Ti3O12 (BLT) Films by Sol-gel technique
    (13th European Meeting on Ferroelectricity (EMF2015) 2015)
  • 酸化物チャネル強誘電体ゲート薄膜トランジスタのソース・ドレイン構造とスイッチング特性
    (第31回 強誘電体応用会議 (FMA31) 2014)
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Education (2):
  • 2009 - 2014 Tokyo Institute of Technology
  • 2005 - 2009 Tokyo Institute of Technology School of Engineering
Professional career (1):
  • 博士(工学) (東京工業大学)
Work history (6):
  • 2022/12 - 現在 Kioxia Corporation Institute of Memory Technology Research and Development
  • 2022/04 - 2022/11 Mitsubishi Materials Corporation Innovation Center Associate Researcher
  • 2021/10 - 2022/03 Mitsubishi Materials Corporation Central Research Institute
  • 2020/03 - 2021/09 Mitsubishi Materials Corporation Central Research Institute
  • 2019/11 - 2020/02 Japan Advanced Institute of Science and Technology Center for Single Nanoscale Innovative Devices Reseacher
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※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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