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J-GLOBAL ID：201902217667194278   Reference number：19A0890913

First-principles X-ray photoelectron spectroscopy binding energy shift calculation for boron and aluminum defects in 3C-silicon carbide

3C-炭化ケイ素中のホウ素およびアルミニウム欠陥に対する第一原理X線光電子分光法結合エネルギーシフト計算

Author (2)： MATSUSHIMA Naoki (Keio Univ., Yokohama, JPN) ,  YAMAUCHI Jun (Keio Univ., Yokohama, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： 3  Page： 031001.1-031001.10  Publication year： Mar. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,  *boron ,  *aluminum ,  *lattice defect ,  *first principle ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  *binding energy ,  energy ,  variation ,  core level ,  band gap ,  valence band ,  localized level ,  relaxation phenomenon
Semi thesaurus term： *3C-SiC ,  *first principles calculation ,  energy shift ,  core level ,  formation energy ,  valence band

JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I)

Reference (33)：

• T. Ohshima, K. K. Lee, Y. I. K. Kojima, Y. Tanaka, T. Takahashi, M. Yoshikawa, H. Okumura, K. Arai, and T. Kamiya, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L625 (2004).
• H. Yano, H. Nakano, H. Mikai, T. Hatayama, Y. Ueda, and T. Fuyuki, Appl. Phys. Lett. 90, 042102 (2007).
• A. Schöner, M. Krieger, G. Pensl, M. Abe, and H. Nagasawa, Chem. Vap. Deposition 12, 523 (2006).
• A. Itoh, T. Kimoto, and H. Matsunami, IEEE Electron Device Lett. 17, 139 (1996).
• H. Bracht, N. A. Stolwijk, M. Laube, and G. Pensl, Appl. Phys. Lett. 77, 3188 (2000).

Terms in the title (8)： 3C-炭化ケイ素 ,  ホウ素 ,  アルミニウム ,  欠陥 ,  第一原理 ,  X線光電子分光法 ,  エネルギーシフト ,  計算