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J-GLOBAL ID：201902222048645339   Reference number：19A1165590

高精度位相シフト電子線ホログラフィーによるIII-V族化合物半導体の精密解析と高速観察への可能性

Author (6)： YAMAMOTO KAZUO (ファインセラミックスセ ナノ構造研) ,  ANADA SATOSHI (ファインセラミックスセ ナノ構造研) ,  NAKANO KIYOTAKA (ファインセラミックスセ ナノ構造研) ,  NOMURA YUKI (パナソニック) ,  MATSUMOTO MIKO (ファインセラミックスセ ナノ構造研) ,  HIRAYAMA TSUKASA (ファインセラミックスセ ナノ構造研)
Material： 顕微鏡  (Microscopy)
Volume： 54  Issue： 1  Page： 31-38  Publication year： Apr. 30, 2019 
JST Material Number： Y0541A  ISSN： 1349-0958  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *phase shift ,  *Holography ,  compound semiconductor ,  structure analysis ,  *gallium nitride ,  *dopant ,  *concentration distribution ,  *visualization ,  PN junction ,  electric potential distribution ,  distribution ,  density distribution ,  in situ observation ,  signal regeneration ,  signal sampling ,  noise elimination ,  accuracy ,  *speedup ,  *electron beam holography ,  charge density distribution ,  compressed sensing ,  III-V semiconductor ,  distribution of electric field
Semi thesaurus term： III-V compound semiconductor ,  electric field distribution

JST classification (1)： Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Reference (35)：

• Gabor, D.: Nature, 161, 777-778 (1948)
• Frabboni, S., Matteucci, G., Pozzi, G. and Vanzi, M.: Phys. Rev. Lett., 55, 2196-2199 (1985)
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• Rau, W.D., Schwander, P., Baumann, F.H., Hoppner, W. and Ourmazd, A.: Phys. Rev. Lett., 82, 2614-2617 (1999)
• Sasaki, H., Yamamoto, K., Hirayama, T, Ootomo, S., Matsuda, T., Iwase, F., Nakasaki, R. and Ishii, H.: Appl. Phys. Lett., 89, 244101 (2006)

Terms in the title (7)： 位相シフト ,  電子線ホログラフィー ,  III-V族化合物半導体 ,  精密 ,  解析 ,  観察 ,  可能性