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J-GLOBAL ID：201902231594626496   Reference number：19A2226195

Growth of SiC Crystals by Flux-Mediated Epitaxy

フラックスエピタキシー法によるSiC結晶成長

Author (5)： SANNODO NAOKI (東北大 大学院工学研究科) ,  ONUMA AOMI (東北大 大学院工学研究科) ,  YAMAGUCHI RYO (東北大 大学院工学研究科) ,  MARUYAMA SHINGO (東北大 大学院工学研究科) ,  MATSUMOTO YUJI (東北大 大学院工学研究科)
Material： Journal of Flux Growth  (J Flux Growth)
Volume： 14  Issue： 1  Page： 18-24  Publication year： Jun. 30, 2019 
JST Material Number： L7066A  ISSN： 1881-5316  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *epitaxy ,  *silicon carbide ,  semiconductor material ,  chemical vapor deposition ,  pulsed laser deposition ,  in situ observation ,  optical microscopy ,  surface quality ,  transmission electron microscope ,  atomic force microscope ,  Raman spectrum ,  *flux growth ,  cross-sectional transmission electron microscope ,  3C-silicon carbide ,  laser scanning confocal microscopy
Semi thesaurus term： 3C-SiC ,  4H-SiC ,  confocal laser scanning microscopy

JST classification (1)： Techniques and equipment of crystal growth  (BK13020B)

Reference (27)：

• 木本恒暢ら,SiC パワーデバイス最新技術,S&T出版,2010.
• Y. M. Tairove, V. F. Tsvetkov, J. Cryst. Growth, 1978, 43, 209.
• B. M. Epelbaum, D. Hofmann, M. Müller, A. Winnacker, Mater. Sci. Forum, 2000, 338, 107.
• G. Ferro, C. Jacquier, New. J. Chem., 2004, 28, 889.
• M. Soueidan, G. Ferro, O. Kim-Hak, F. Cauwet, B. Nsouli, Cryst. Growth Des., 2008, 8, 1044.

Terms in the title (2)： SiC ,  結晶成長