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J-GLOBAL ID：201902239910425140   Reference number：19A1328649

Effect of carbon in Si oxide interlayers of the Al₂O₃/4H-SiC structure on interfacial reaction by oxygen radical treatment

Al₂O₃/4H-SiC構造のSi酸化物中間層に存在する炭素が酸素ラジカル処理による界面反応に及ぼす影響

Author (9)： DOI Takuma (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  DOI Takuma (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Nagoya, JPN) ,  TAKEUCHI Wakana (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEUCHI Wakana (Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN) ,  SHIBAYAMA Shigehisa (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKASHITA Mitsuo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAOKA Noriyuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Nagoya, JPN) ,  NAKATSUKA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA Shigeaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： SB  Page： SBBD05.1-SBBD05.5  Publication year： Apr. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Aluminum Oxide ,  *silicon carbide ,  *silicon oxide ,  layer ,  *Carbon ,  radical ,  Oxygen ,  *heterogeneous reaction ,  chemical vapor deposition ,  capacitance-voltage characteristic ,  state density ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  interlayer ,  oxygen radical ,  *interfacial reaction ,  interface state density ,  hard X-ray photoelectron spectroscopy
Semi thesaurus term： *4H-SiC ,  *Si oxide ,  atomic layer deposition ,  interface state density ,  HAXPES

JST classification (2)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (30)：

• J. A. Cooper, M. R. Melloch, R. Singh, A. Agarwal, and J. W. Palmour, IEEE Trans. Electron Devices 49, 658 (2002).
• G. Liu, B. R. Tuttle, and S. Dhar, Appl. Phys. Rev. 2, 021307 (2015).
• T. Kimoto, Japan. J. Appl. Phys. 54, 040103 (2015).
• S. Harada, R. Kosugi, J. Senzaki, W. Cho, K. Fukuda, K. Arai, and S. Suzuki, J. Appl. Phys. 91, 1568 (2002).
• H. Shiomi et al., Japan. J. Appl. Phys. 55, 04ER19 (2016).

Terms in the title (7)： Al2O3 ,  4H-SiC ,  Si酸化物 ,  中間層 ,  炭素 ,  酸素ラジカル ,  界面反応