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J-GLOBAL ID：201902258452567773   Reference number：19A0590583

Luminescence from AlGaN/GaN HEMT structures by very-low-energy (100eV) electron beams using beam deceleration technique

ビーム減速法を用いた超低エネルギー(100eV)電子ビームによるAlGaN/GaN HEMT構造からのルミネセンス

Author (4)： SUGIE Ryuichi (Toray Res. Center Inc., Shiga, JPN) ,  UCHIDA Tomoyuki (Toray Res. Center Inc., Shiga, JPN) ,  FUJII Takashi (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN) ,  ARAKI Tsutomu (Ritsumeikan Univ., Shiga, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： 1  Page： 010902.1-010902.4  Publication year： Jan. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： beam ,  Deceleration ,  *electron beam ,  *HEMT ,  *cathodoluminescence ,  scanning electron microscope ,  surface ,  optimization ,  Luminescence ,  *gallium nitride ,  *aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  low energy ,  *band edge emission ,  aluminum gallium nitride ,  *Aluminum Gallium Nitride/Gallium Nitride ,  modification
Semi thesaurus term： *AlGaN/GaN ,  delay ,  high electron mobility transistor ,  plasma exposure ,  dry process

JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (30)：

• M. A. Reshchikov and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 97, 061301 (2005), and references therein.
• B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
• U. K. Mishra, P. Parikh, and Y. F. Wu, Proc. IEEE 90, 1022 (2002).
• R. S. Pengelly, S. M. Wood, J. W. Milligan, S. T. Sheppard, and W. L. Pribble, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 60, 1764 (2012).
• G. Meneghesso, M. Meneghini, and E. Zanoni, Jpn. J. Appl. Phys. 53, 100211 (2014).

Terms in the title (8)： ビーム ,  減速 ,  低エネルギー ,  電子ビーム ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  ルミネセンス