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J-GLOBAL ID：201402208327920547   Reference number：14A1471192

Breakdown mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs: An overview

AlGaN/GaN HEMTのブレイクダウン機構:概要

Author (3)： MENEGHESSO Gaudenzio (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  MENEGHINI Matteo (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  ZANONI Enrico (Univ. Padova, Padova, ITA)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 53  Issue： 10  Page： 100211.1-100211.8  Publication year： Oct. 2014 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： HEMT ,  *gallium nitride ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  *nitride ,  compound semiconductor ,  semiconductor thin film ,  electric current ,  substrate (plate) ,  silicon ,  *dielectric breakdown ,  metal-semiconductor junction ,  hot electron ,  collisional ionization ,  radiation damage ,  punchthrough ,  Schottky Junction ,  depleted zone ,  *aluminum gallium nitride
Semi thesaurus term： *aluminium gallium nitride ,  drain current

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (51)：

• S. Hashimoto, K. Akita, T. Tanabe, N. Nakahata, K. Takeda, and H. Amano, SEI Tech. Rev. 71, 83 (2010).
• Y. Dora, A. Chakraborty, L. McCarthy, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 27, 713 (2006).
• M. Ishida, T. Ueda, T. Tanaka, and D. Ueda, IEEE Trans. Electron Devices 60, 3053 (2013).
• M. Rodriguez, Y. Zhang, and D. Maksimovic, IEEE Trans. Power Electron. 29, 2462 (2014).
• Y. Wu, M. Jacob-Mitos, M. L. Moore, and S. Heikman, IEEE Electron Device Lett. 29, 824 (2008).

Terms in the title (4)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  概要