Art

J-GLOBAL ID：201902263244044788   Reference number：19A1375550

ミストCVD法によるn⁺-Si(100)基板上への強誘電体HfO₂薄膜の作製とその電気的特性

Author (6)： TAHARA DAISUKE (京都工繊大) ,  NISHINAKA HIROYUKI (京都工繊大) ,  NODA MINORU (京都工繊大) ,  SATO SHOTA (高知工科大) ,  KAWAHARAMURA TOSHIYUKI (高知工科大) ,  YOSHIMOTO MASAHIRO (京都工繊大)
Material： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
Volume： 66th  Page： ROMBUNNO.11a-W351-2  Publication year： Feb. 25, 2019 
JST Material Number： Y0054B  ISSN： 2436-7613  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： chemical vapor deposition ,  wafer ,  *dielectric thin film ,  *hafnium oxide ,  *electrical property ,  laminated condenser ,  hysteresis ,  mist CVD ,  *ferroelectric thin film ,  polarization hysteresis ,  Si wafer
Semi thesaurus term： silicon substrate ,  *hafnium dioxide ,  electrical property ,  laminated capacitor

JST classification (2)： Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (7)： ミストCVD法 ,  Si ,  強誘電体 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  作製 ,  電気的特性