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J-GLOBAL ID：201902271907209836   Reference number：19A0645574

Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistor Using High-k SrTa₂O₆ as Gate Insulator Deposited by Sputtering Method

スパッタリング法により堆積したゲート絶縁体としての高k SrTa_2O_6を用いた非晶質InGaZnO薄膜トランジスタの改良【JST・京大機械翻訳】

Author (8)： Takahashi Takanori (National Institute of Technology, Tsuruoka College 104 Sawada, Tsuruoka, Yamagata 997-8511, Japan) ,  Hoga Takeshi (National Institute of Technology, Tsuruoka College 104 Sawada, Tsuruoka, Yamagata 997-8511, Japan) ,  Miyanaga Ryoko (Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Oikawa Kento (Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Fujii Mami N. (Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Ishikawa Yasuaki (Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Uraoka Yukiharu (Nara Institute of Science and Technology 8916-5 Takayama-cho, Ikoma, Nara 630-0192, Japan) ,  Uchiyama Kiyoshi (National Institute of Technology, Tsuruoka College 104 Sawada, Tsuruoka, Yamagata 997-8511, Japan)
Material： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A.)
Volume： 216  Issue： 5  Page： e1700773  Publication year： 2019 
JST Material Number： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Germany, Federal Republic of (DEU)  Language： ENGLISH (EN)

Abstract/Point： In this paper, the InGaZnO-bas...

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Thesaurus term： *amorphous state ,  *gate dielectric film ,  *sputtered deposition ,  electric current ,  electrical property ,  *thin film transistor ,  permittivity
Semi thesaurus term： 漏れ電流密度 ,  ゲート漏れ電流 ,  一酸化ケイ素 ,  低電圧 ,  サブ閾値スイング ,  閾値電圧 ,  電界効果移動度 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

Author keywords (5)： gate insulators ,  high-k ,  InGaZnO ,  SrTa2O6 ,  thin-film transistors

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： スパッタリング法 ,  堆積 ,  ゲート絶縁体 ,  非晶質 ,  トランジスタ