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J-GLOBAL ID：201902298830775815   Reference number：19A2332630

SiC nano-dot formation in bulk-Si substrate using hot-C⁺-ion implantation process

ホットC⁺イオン注入プロセスを用いたバルクSi基板中のSiCナノドット形成

Author (6)： MIZUNO Tomohisa (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  YAMAMOTO Masaki (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  NAKADA Shinji (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  IRIE Sho (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  AOKI Takashi (Kanagawa Univ., Kanagawa, JPN) ,  SAMESHIMA Toshiyuki (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： 8  Page： 081004.1-081004.12  Publication year： Aug. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ion ,  *ion implantation ,  *wafer ,  *silicon carbide ,  *nanostructure ,  nitrogen ,  atmosphere(environment) ,  annealing(heat treatment) ,  solid state device ,  optical element ,  spectrum ,  cubic system ,  hexagonal system ,  transmission electron microscope ,  radiant intensity ,  approximation method
Semi thesaurus term： *carbon ion ,  *silicon substrate ,  SiC ,  *nanodot ,  nitrogen atmosphere ,  annealing treatment ,  photonic device ,  photoluminescence spectrum ,  emission intensity ,  fitting (approximation)

JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Reference (40)：

• S. Saito et al., Jpn. J. Appl. Phys. 45, L679 (2006).
• S. Saito et al., IEDM Tech. Dig., 2008, p.19.5.
• L. Pavesi and D. J. Lockwood, Silicon Photonics (Springer, Berlin, 2004).
• T. Mizuno, K. Tobe, Y. Maruyama, and T. Sameshima, Jpn. J. Appl. Phys. 51, 02BC03 (2012).
• T. Mizuno, T. Aoki, Y. Nagata, Y. Nakahara, and T. Sameshima, Jpn. J. Appl. Phys. 52, 04CC13 (2013).

Terms in the title (7)： C+ ,  イオン注入 ,  プロセス ,  バルク ,  Si基板 ,  SiC ,  ナノドット