希土類水素化物の製造方法、水素センサー及び薄膜トランジスター

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (8)：高島一 , 土井京子 , 鎌田光宜 , 田村弥栄子 , 小池順造 , 當麻博文 , 赤井厚子 , 戸崎富哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017220273
Publication number (International publication number)：2019089267
Application date： Nov. 15, 2017
Publication date： Jun. 13, 2019
Summary：

【課題】低温(特に、室温)かつ低濃度水素雰囲気下においても希土類水素化物半導体を生成し得る希土類水素化物の製造方法を提供する。【解決手段】希土類元素膜上に白金膜が形成された積層膜を水素を含む雰囲気下で熱処理し、膜中の希土類元素が水素化されて希土類水素化物を生成した膜に転化する、希土類水素化物の製造方法。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

希土類元素膜上に白金膜が形成された積層膜を水素を含む雰囲気下で熱処理することを含む、希土類水素化物の製造方法。

IPC (5)：

B32B 9/00 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/477 , C01B 6/00

FI (4)：

B32B9/00 A , H01L29/78 618A , H01L21/477 , C01B6/00 Z

F-Term (73)：

4F100AA00A , 4F100AB00A , 4F100AB24B , 4F100AC10 , 4F100AR00C , 4F100AR00D , 4F100AR00E , 4F100BA02 , 4F100BA05 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100EJ42A , 4F100EJ58A , 4F100GB61 , 4F100JG01A , 4F100JG01C , 4F100JG01E , 4F100JG04D , 4F100YY00A , 5F110AA17 , 5F110BB09 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF06 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF33 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK35 , 5F110HK38 , 5F110HK42 , 5F110NN02 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110QQ11 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

保護膜を塗布した反射型光スイッチ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-226171 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
スイッチング可能な電磁遮蔽材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-372010 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
スイッチング装置及びその使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-536323 Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ

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