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J-GLOBAL ID：201903006439872927

共鳴トンネルダイオード素子

Inventor： 永瀬 成範 ,  清水 三聡 ,  時崎 高志
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2017234229
Publication number (International publication number)：2018067727
Patent number：6529051
Application date： Dec. 06, 2017
Publication date： Apr. 26, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】 複数のバリア層と該バリア層間の井戸層とからなる量子井戸の井戸層に、組成傾斜によるポテンシャル傾斜を備え、サブバンド間遷移によって前記量子井戸内に電子を蓄積することが可能な量子準位を前記量子井戸に有することを特徴とする共鳴トンネルダイオード素子。

IPC (9)：

H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  H01L 29/88 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 45/00 ( 200 6.01) ,  H01L 49/00 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 29/88 F ,  H01L 29/06 601 W ,  H01L 27/105 448 ,  H01L 45/00 Z ,  H01L 49/00 Z ,  H01L 29/48 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• バイポーラトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-185794   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特許第6229153号
  

Cited by examiner (2)

• バイポーラトランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-185794   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特許第6229153号
  

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• MOVPEを用いたGaN/AlNトンネルダイオードの作製

Cited by examiner (1)

• MOVPEを用いたGaN/AlNトンネルダイオードの作製