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J-GLOBAL ID：201903011380876625

水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ

Inventor： 川江 健 ,  徳田 規夫 ,  古市 浩幹 ,  柄谷 涼太 ,  中嶋 宇史
Applicant, Patent owner： 国立大学法人金沢大学
Agent (1)： 大谷 嘉一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015138068
Publication number (International publication number)：2017022240
Patent number：6534036
Application date： Jul. 09, 2015
Publication date： Jan. 26, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 水素終端ダイヤモンドの表面伝導層上にソース及びドレイン電極を形成し、 前記ソース電極とドレイン電極との間であって前記水素終端ダイヤモンドの表面伝導層上に強誘電体の薄膜を積層してあり、 前記強誘電体の薄膜にゲート電極を形成してあり、 前記強誘電体はフッ化ビニリデンと三フッ化エチレンとの共重合体薄膜であることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01)

FI (5)：

H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-217679   Applicant：東京瓦斯株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-035794   Applicant：三菱電機株式会社
• 強誘電性PZT材料、キャパシタ、マイクロ電子デバイス構造体、及びFeRAMデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-125829   Applicant：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド

Cited by examiner (3)

• 水素終端ダイヤモンドMISFETおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-217679   Applicant：東京瓦斯株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-035794   Applicant：三菱電機株式会社
• 強誘電性PZT材料、キャパシタ、マイクロ電子デバイス構造体、及びFeRAMデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-125829   Applicant：アドバンスドテクノロジーマテリアルズ,インコーポレイテッド