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J-GLOBAL ID：201903017742086170

多孔質体およびその製造方法、ならびに蓄電装置、トランジスタおよび太陽電池

Inventor： 陳 明偉 ,  伊藤 良一 ,  邱 華軍 ,  譚 勇文 ,  韓 久慧 ,  田邉 洋一 ,  郭 現偉 ,  藤田 武志 ,  平田 秋彦 ,  谷垣 勝己
Applicant, Patent owner： アンヴァール株式会社
Agent (6)： 重信 和男 ,  溝渕 良一 ,  石川 好文 ,  秋庭 英樹 ,  堅田 多恵子 ,  林 道広
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2016531142
Patent number：6455942
Application date： Mar. 26, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 平均サイズが2μm以下であり、かつ最小サイズが60nm以上である細孔と、全体に亘って曲率を有するとともに、PES(Photo Emission Spectroscopy)法を用いて電子状態密度を測定した場合に、フェルミレベルからの結合エネルギーが0から0.4eVの範囲において、結合エネルギーに対する信号強度を最小自乗法を用い直線近似したときの相関係数が90%以上となるディラックコーン型の電子状態密度を有するグラフェン層からなる炭素構造体をその表面に具備することを特徴とするニッケル多孔質体。

IPC (7)：

C01B 32/186 ( 201 7.01) ,  B01J 27/24 ( 200 6.01) ,  B01J 32/00 ( 200 6.01) ,  H01G 11/24 ( 201 3.01) ,  H01G 11/36 ( 201 3.01) ,  H01M 4/133 ( 201 0.01) ,  H01M 4/1393 ( 201 0.01)

FI (7)：

C01B 32/186 ,  B01J 27/24 Z ,  B01J 32/00 ,  H01G 11/24 ,  H01G 11/36 ,  H01M 4/133 ,  H01M 4/139

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 多孔性伝導カーボン物質とその使用
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2009-512475   Applicant：マックス-プランク-ゲゼルシャフトツアフェルデルンクデアヴィッセンシャフテンエー.ファウ.
• 電極材料及び電極材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-252664   Applicant：トヨタ自動車株式会社, 日清紡ホールディングス株式会社
• グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-015081   Applicant：株式会社日立製作所
• グラフェン構造物及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-211036   Applicant：三星電子株式会社
• 多孔質炭素材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-074098   Applicant：日本板硝子株式会社
• 金属担持炭素材料の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-236195   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 日本電気株式会社
• グラフェンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-201157   Applicant：パナソニック株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Refinement of Nanoporous Copper: A Summary of Micro-Alloying of Au-Group and Pt-Group Elements