MIS型半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018138093
Publication number (International publication number)：2019125771
Application date： Jul. 24, 2018
Publication date： Jul. 25, 2019
Summary：

【課題】キャリア散乱を抑制して、高い移動度をもつダイヤモンド半導体によるMIS型半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】MIS型半導体装置101は、半導体層22がダイヤモンドからなる半導体を含み、絶縁体層23が窒化ホウ素を含む材料からなり、かつ絶縁体層が半導体層と導電体層24で挟まれる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、前記半導体層はダイヤモンドからなる半導体を含み、前記絶縁体層は窒化ホウ素を含む、MIS型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/314

FI (2)：

H01L29/78 301B , H01L21/314 A

F-Term (54)：

5F058BA20 , 5F058BB10 , 5F058BC07 , 5F058BF06 , 5F058BF17 , 5F058BF27 , 5F058BF30 , 5F058BJ10 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA07 , 5F140BA04 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD04 , 5F140BE05 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BF10 , 5F140BF15 , 5F140BF21 , 5F140BF27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG31 , 5F140BG37 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ05 , 5F140BJ06 , 5F140BJ07 , 5F140BJ08 , 5F140BJ10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BK26 , 5F140CA02 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC10 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC16 , 5F140CE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ダイヤモンドトランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-508329 Applicant：エレメントシックスリミテッド
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-018138 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の作製方法及び水素処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-091040 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, アネルバ株式会社

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