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J-GLOBAL ID：201903021351920254

ガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置、撮像素子およびそれらの製造方法

Inventor： 生田目 俊秀 ,  色川 芳宏 ,  三石 和貴 ,  木本 浩司 ,  小出 康夫
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018120352
Publication number (International publication number)：2019012826
Application date： Jun. 26, 2018
Publication date： Jan. 24, 2019
Summary：

【課題】素子間リーク電流や素子間抵抗、容量の問題の少ない半導体装置を製造するのに好適で結晶欠陥の少ない高品質なガリウム窒化物半導体基板、ガリウム窒化物半導体装置の提供。【解決手段】GaN単結晶上にガリウム酸化膜およびGaN膜が順次積層された半導体基板またはその半導体基板構成による半導体装置であって、ガリウム酸化膜はGaN単結晶の結晶格子と面内格子定数aが整合したガリウム酸化物結晶を50体積%以上100体積%以下含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1のGaN(窒化ガリウム)の単結晶上に、ガリウム酸化物結晶の膜および第2のGaNが順次積層された、ガリウム窒化物半導体基板。

IPC (7)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 31/10

FI (6)：

H01L21/20 ,  C30B29/38 D ,  H01L21/76 L ,  H01L27/146 C ,  H01L29/78 301B ,  H01L31/10 A

F-Term (77)：

4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA01 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB03 ,  4G077TB05 ,  4G077TC12 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA02 ,  4M118CA07 ,  4M118CB01 ,  4M118DD04 ,  4M118EA01 ,  4M118GA02 ,  5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F140BA01 ,  5F140BA06 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ10 ,  5F140CB04 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL08 ,  5F152LL09 ,  5F152MM04 ,  5F152MM12 ,  5F152NN09 ,  5F152NP12 ,  5F152NP27 ,  5F152NQ09 ,  5F849AA02 ,  5F849AB07 ,  5F849BA14 ,  5F849BA15 ,  5F849BB03 ,  5F849CB04 ,  5F849CB14 ,  5F849DA05 ,  5F849EA04 ,  5F849EA05 ,  5F849FA05 ,  5F849FA16 ,  5F849GA06 ,  5F849GA11 ,  5F849XB08 ,  5F849XB18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• ε-Ga2O3単結晶、ε-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-121248   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 非極性(Al、B、In、Ga)N量子井戸
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2005-512863   Applicant：ザ・レジェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・カリフォルニア, 独立行政法人科学技術振興機構
• エピタキシャル方法およびこの方法によって成長させられたテンプレート
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-518416   Applicant：エス.オー.アイ.テックシリコンオンインシュレーターテクノロジーズ, アリゾナボードオブリージェンツフォーアンドオンビハーフオブアリゾナステイトユニバーシティ

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
• Epitaxial growth of phase-pure ε-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy