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J-GLOBAL ID：202002235383967038   Reference number：20A0948568

Development of 650V Automotive Grade GaN Power Transistors

650V耐圧車載グレードのGaNパワートランジスタの開発

Author (7)： SHONO KEN (トランスフォームジャパン) ,  HOSODA TSUTOMU (トランスフォームジャパン) ,  IMANISHI KENJI (トランスフォームジャパン) ,  ASAI YOSHIMORI (トランスフォームジャパン) ,  BARR Ronald (Transphorm Inc.) ,  WU Yifeng (Transphorm Inc.) ,  PARIKH Primit (Transphorm Inc.)
Material： 電気学会研究会資料
Issue： EDD-20-036-044 電子デバイス研究会  Page： 1-5  Publication year： Mar. 02, 2020 
JST Material Number： Z0924B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *dielectric strength ,  system ,  gallium nitride ,  power transistor ,  MISFET ,  cascade connection ,  semiconductor junction ,  MOSFET ,  rating(limit)
Semi thesaurus term： GAN ,  cascode ,  power transistor ,  *high pressure strength ,  automobile metal oxide semiconductor field effect transistor ,  system for vehicle ,  super junction

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (8)：

• T. Kikkawa, T. Hosoda, K. Imanishi, K. Shono, K. Itabashi, T. Ogino, Y. Miyazaki, A. Mochizuki, K. Kiuchi, M. Kanamura, M. Kamiyama, S. Akiyama, S. Kawasaki, T. Maeda, Y. Asai, Y-F. Wu, K. Smith, J. Gritters, P. Smith, S. Chowdhury, D. Dunn, M. Aguielera, B. Swenson, R. Birkhahn, L. McCarthy, L. Shen, J. McKay, H. Clement, J. Honea, S. Yea, D. Thor, R. Lal, U. Mishra, and P. Parikh : ”600V JEDEC-Qualified highly reliable GaN HEMTs on Si substrates”, Proc. IEEE International Electron Device Meeting, p.2.6.1-2.6.4, San Francisco, CA, USA (2014)
• S. Pearton, F. Ren, F. Tadjer, and J. Kim : ”Perspective: Ga2O3 for ultra-high power rectifiers and MOSFETs”, J. Appl. Phys. 124, pp.220901-220919 (2018)
• M. Asif Khan, J. Kuznia, and J. Van Hove: ”Observation of a two-dimensional electron gas in low pressure metalorganic chemical vapor deposited GaN-AlxGa1-x-N heterojunctions”, Appl. Phys. Lett., vol.60.Issue 24, pp.3027-3029 (1992)
• S. Chowdhury, Y-F. Wu, L. Shen, K. Smith, P. Smith, T. Kikkawa, J. Gritters, L. McCarthy, R. Lal, R. Barr, Z. Wang, U. Mishra, P. Parikh, T. Hosoda, K. Shono, K. Imanishi, T. Ogino, A. Mochizuki, K. Kiuchi, and Y. Asai ”650V Highly Reliable GaN HEMTs on Si Substrates over multiple generations Matching Silicon CMOS manufacturing metrics and process control”, 28th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, 2016 IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, pp.221-224, Austin, TX, USA (2016)
• Transphorm TP65H050WS datasheet

Terms in the title (6)： 耐圧 ,  車載 ,  グレード ,  GaN ,  パワートランジスタ ,  開発