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J-GLOBAL ID：202002250703740514   Reference number：20A0114490

両極性同時成長を用いたGaN-QPM結晶の作製およびSHGに向けた光学特性評価

Author (8)： MATSUHISA KAISHO (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  KOBAYASHI YUTO (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  ISHIHARA HIROKI (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  SUGIURA MASAKO (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  SUGITA ATSUSHI (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  INOUE TSUBASA (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  NAKANO TAKAYUKI (静岡大 大学院総合科学技術研究科) ,  NAKANO TAKAYUKI (静岡大 電子工研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 119  Issue： 304(LQE2019 76-101)  Page： 41-44  Publication year： Nov. 14, 2019 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *gallium nitride ,  *phase matching ,  *second harmonic generation ,  ultraviolet laser ,  optical property ,  atomic force microscope ,  scanning electron microscope ,  pseudo phase matching

JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Reference (7)：

• A. Chowdhury, H. M. Ng, M. Bhardwaj, N. G. Weimann, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 1077.
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• H. Matsumura, Y. Kanematsu, T. Shimura, T. Tamaki, Y. Ozeki, K. Itoh, M. Sumiya, T. Nakano, S. Fuke, Appl. Phys. Express 2 101001.
• Y. Fujita, Y. Takano, Y. Inoue, M. Sumiya, S. Fuke, T. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys. 2013, 52, 08JB26.
• K. Kuze, N. Osumi, Y. Fujta, Y. Inoue, T. Nakano, Jpn. J. Appl. Phys. 2016, 55, 05FA05.

Terms in the title (7)： 両極性 ,  成長 ,  GaN ,  結晶 ,  作製 ,  SHG ,  光学特性評価