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J-GLOBAL ID：200902261896289888   Reference number：09A1139197

Lateral Polarity Control in GaN Based on Selective Growth Procedure Using Carbon Mask Layers

炭素マスク層を使った選択的成長手法に基づくGaNの横方向極性制御

Author (9)： MATSUMURA Hisashi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KANEMATSU Yasuo (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIMURA Takayoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAMAKI Takayuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OZEKI Yasuyuki (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ITOH Kazuyoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SUMIYA Masatomo (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  NAKANO Takayuki (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  FUKE Shunro (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 2  Issue： 10  Page： 101001.1-101001.3  Publication year： Oct. 25, 2009 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： phase matching ,  *gallium nitride ,  crystal orientation ,  *MOCVD ,  Carbon ,  laser irradiation ,  *polarity ,  photomask ,  circuit pattern generation ,  nonlinear optics ,  domain ,  pseudo phase matching ,  mask

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (27)：

• ARMSTRONG, J. A. Phys. Rev. 1962, 127, 1918
• HUM, D. S. C. R. Phys. 2007, 8, 180
• CATALANO, I. M. Opt. Commun. 1977, 23, 419
• STUTZMANN, M. Phys. Status Solidi B. 2001, 228, 505
• PEZZAGNA, S. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 062106

Terms in the title (7)： 炭素 ,  マスク層 ,  選択的成長 ,  手法 ,  GaN ,  横方向 ,  極性