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J-GLOBAL ID：202002255422121890   Reference number：20A2244015

Impedance Source Design for Load Short-circuit Fault Protection of GaN-HEMT Quasi-Z-source Inverter

GaN-HEMTを適用したQuasi-Zソースインバータの負荷短絡事故保護を想定したインピーダンスソースの設計

Author (4)： NAKAYAMA TAICHI (筑波大) ,  MANNEN TOMOYUKI (筑波大) ,  NAKAJIMA AKIRA (筑波大) ,  ISOBE TAKANORI (筑波大)
Material： 電気学会研究会資料
Issue： SPC-20-107-116/MD-20-080-089 半導体電力変換研究会/モータドライブ研究会  Page： 25-30  Publication year： Sep. 03, 2020 
JST Material Number： Z0924B  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *HEMT ,  *inverter ,  *impedance ,  short circuit fault ,  *Z-source inverter
Semi thesaurus term： *GaN HEMT ,  short circuit ,  short circuit fault

JST classification (1)： Power converters  (NB08030B)

Reference (11)：

• C. Abbate, G. Busatto, A. Sanseverino, D. Tedesco and F. Velardi, ”Failure analysis of 650 V enhancement mode GaN HEMT after short circuit tests,” Microelectronics Reliability, vol. 88, pp. 677-683,2018.
• J. Sun, H. Xu, X. Wu, and K. Sheng, ”Comparison and Analysis of Short Circuit Capability of 1200V Single-Chip SiC MOSFET and Si IGBT,” 2016 13th China International Forum on Solid State Lighting: International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China, pp. 42-45,2016.
• R. Hou, J. Lu, and D. Chen, ”An Ultrafast Discrete Short-Circuit Protection Circuit for GaN HEMTs,” in 2018 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2018, pp. 1920-1925.
• R. Hou and J. Lu, ”An Ultrafast Discrete Protection Circuit Utilizing Multi-Functional Dual-Gate Pads of GaN HEMTs,” in 2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2019, pp. 818-823.
• O. S. Alemdar, F. Karakaya, and O. Keysan, ”PCB Layout Based Short-Circuit Protection Scheme for GaN HEMTs,” in 2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2019, pp. 2212-2218.

Terms in the title (7)： GaN ,  HEMT ,  Zソースインバータ ,  短絡 ,  事故 ,  想定 ,  設計