Art

J-GLOBAL ID：202002290712796208   Reference number：20A0658393

Control of the interface properties in a 2D layered heterostructure FET

2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御

Author (1)： NAGASHIO KOSUKE (東大)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 89  Issue： 3  Page： 139-146  Publication year： Mar. 10, 2020 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *FET ,  heterojunction ,  interface (surface) ,  silicon dioxide ,  silicon ,  *molybdenum sulfide ,  *graphene ,  *surface level ,  device structure ,  laminate structure ,  band gap ,  insulating film ,  gate (semiconductor) ,  drain (semiconductor) ,  voltage ,  electric current ,  N-type semiconductor ,  P-type semiconductor ,  bilayer graphene ,  hetero-structure ,  high-k dielectrics ,  monolayer graphene ,  *molybdenum(IV) sulfide
Semi thesaurus term： *HFET ,  van der Waals heterostructures ,  gate stack ,  gate voltage ,  drain current ,  *molybdenum disulfide ,  interface state ,  interface control

JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Reference (65)：

• 1) S.B. Desai, S.R. Madhvapathy, A.B. Sachid, J.P. Llinas, Q. Wang, G.H. Ahn, G. Pitner, M.J. Kim, J. Bokor, C. Hu, H.-S.P. Wong, and A. Javey: Science 354, 99 (2016).
• 2) D. Sarkar, X. Xie, W. Liu, W. Cao, J. Kang, Y. Gong, S. Kraemer, P.M. Ayajan, and K. Banerjee: Nature 526, 91 (2015).
• 3) D. Akinwande, C. Huyghebaert, C.-H. Wang, M.I. Serna, S. Goossens, L.-J. Li, H.-S.P. Wong, and F.H.L. Koppens: Nature 573, 507 (2019).
• 4) K. Kang, S. Xie, L. Hunag, Y. Han, P.Y. Huang, K.F. Mak, C.-J. Kim, D. Muller, and J. Park: Nature 520, 656 (2015).
• 5) H. Yu, M. Liao, W. Zhao, G. Liu, X.J. Zhou, Z. Wei, X. Xu, K. Liu, Z. Hu, K. Deng, S. Zhou, J.-A. Shi, L. Gu, C. Shen, T. Zhang, L. Du, L. Xie, J. Zhu, W. Chen, R. Yang, D. Shi, and G. Zhang: ACS Nano 11, 12001 (2017).

Terms in the title (5)： 2次元 ,  層状 ,  テロ ,  FET ,  界面特性