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J-GLOBAL ID：202003008537919978

グラフェン基板の製造方法

Inventor： 成塚 重弥 ,  山田 純平
Applicant, Patent owner： 学校法人 名城大学
Agent (1)： 特許業務法人グランダム特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015231673
Publication number (International publication number)：2017095327
Patent number：6708397
Application date： Nov. 27, 2015
Publication date： Jun. 01, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板の表面側に、C(炭素)及びグラフェンの形成に利用する触媒金属である第1金属を含む第1層を積層する第1工程と、 前記第1工程後に前記第1層内の前記C(炭素)を表面側に析出させない第2層を前記第1層の表面側に積層する第2工程と、 前記第2工程後に熱処理して前記第1層内の前記C(炭素)を前記第1金属に溶解させる第3工程と、 前記第3工程後に冷却して前記基板と前記第1層との間にグラフェンを形成させる第4工程と、 を備え、 前記第1層は、前記C(炭素)と、前記第1金属とを積層し、 前記第2層は、前記第3工程において、前記C(炭素)と結合して前記第1層との界面にカーバイド層を形成する第2金属を含むことを特徴とするグラフェン基板の製造方法。

IPC (4)：

C01B 32/184 ( 201 7.01) ,  C23C 14/06 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01) ,  B32B 9/00 ( 200 6.01)

FI (4)：

C01B 32/184 ,  C23C 14/06 F ,  C23C 14/58 A ,  B32B 9/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• グラフェン構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-133613   Applicant：国立大学法人名古屋工業大学
• 炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-119486   Applicant：浦項工科大学校産学協力団
• グラフェンシートの製造方法、半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-322408   Applicant：富士通株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Cuキャップ層を持つCo触媒からの固相析出による多層グラフェン形成