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J-GLOBAL ID：201203018746683372

炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子

Inventor： 李 泰 雨
Applicant, Patent owner： 浦項工科大学校 産学協力団
Agent (1)： 八田国際特許業務法人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2012119486
Publication number (International publication number)：2012246215
Application date： May. 25, 2012
Publication date： Dec. 13, 2012
Summary：

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。【解決手段】基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、基板と前駆体膜との間の触媒膜、及び前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、 前記基板と前記前駆体膜との間の触媒膜、及び前記前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、 前記基板を熱処理し、前記基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法。

IPC (10)：

C01B 31/02 ,  C01B 31/04 ,  H01M 4/88 ,  H01B 13/00 ,  H01L 51/42 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/26 ,  H01L 31/04

FI (11)：

C01B31/02 101Z ,  C01B31/04 101Z ,  H01M4/88 C ,  H01B13/00 503Z ,  H01L31/04 D ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/02 ,  H05B33/26 Z ,  H01L31/04 H ,  H01L31/04 M

F-Term (70)：

3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC12 ,  3K107CC45 ,  3K107DD13 ,  3K107DD14 ,  3K107DD15 ,  3K107DD16 ,  3K107DD18 ,  3K107DD23 ,  3K107DD42X ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  4G146AA01 ,  4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC20B ,  4G146AD23 ,  4G146AD25 ,  4G146AD29 ,  4G146AD30 ,  4G146BA22 ,  4G146BA24 ,  4G146BB07 ,  4G146BB10 ,  4G146BB15 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146CA02 ,  5F151AA11 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5G323AA03 ,  5H018BB01 ,  5H018DD08 ,  5H018EE02 ,  5H018EE03 ,  5H018EE04 ,  5H018EE05 ,  5H018EE06 ,  5H018EE11 ,  5H018EE12 ,  5H018HH03 ,  5H018HH08 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA14 ,  5H050CB07 ,  5H050DA04 ,  5H050DA10 ,  5H050EA08 ,  5H050GA02 ,  5H050GA12 ,  5H050GA22 ,  5H050HA04 ,  5H050HA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

• 集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-226457   Applicant：富士通株式会社
• 炭素系薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-004370   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構
• 半導体装置の製造方法、半導体装置および配線構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-001670   Applicant：富士通株式会社
• 炭素系膜のパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-264224   Applicant：凸版印刷株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構
• グラフェン層の剥離方法、グラフェンウエハの製造方法、グラフェンウエハ、及び、グラフェン素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-148308   Applicant：株式会社沖データ, 株式会社沖デジタルイメージング
• 量子干渉トランジスタとその製造及び動作方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-235199   Applicant：三星電子株式会社
• リチウム二次電池用負極材料およびその製造方法、ならびにそれを用いた二次電池
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-084836   Applicant：大阪瓦斯株式会社, シャープ株式会社
• 炭素薄膜ならびにそれを用いた電界放出電子源および作用電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-290291   Applicant：シャープ株式会社, 京谷隆
• 電極材料用の高導電性透明炭素膜
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-503421   Applicant：マックスプランク-ゲセルシャフト・ツール・フェーデルング・デル・ヴィッセンシャフテン・エー・ファウ
• グラフェン素材の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-149418   Applicant：学校法人名城大学