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J-GLOBAL ID:201203018746683372

炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 八田国際特許業務法人
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2012119486
Publication number (International publication number):2012246215
Application date: May. 25, 2012
Publication date: Dec. 13, 2012
Summary:
【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。【解決手段】基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、基板と前駆体膜との間の触媒膜、及び前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、 前記基板と前記前駆体膜との間の触媒膜、及び前記前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、 前記基板を熱処理し、前記基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法。
IPC (10):
C01B 31/02 ,  C01B 31/04 ,  H01M 4/88 ,  H01B 13/00 ,  H01L 51/42 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/26 ,  H01L 31/04
FI (11):
C01B31/02 101Z ,  C01B31/04 101Z ,  H01M4/88 C ,  H01B13/00 503Z ,  H01L31/04 D ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/02 ,  H05B33/26 Z ,  H01L31/04 H ,  H01L31/04 M
F-Term (70):
3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC12 ,  3K107CC45 ,  3K107DD13 ,  3K107DD14 ,  3K107DD15 ,  3K107DD16 ,  3K107DD18 ,  3K107DD23 ,  3K107DD42X ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  4G146AA01 ,  4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16B ,  4G146AC20B ,  4G146AD23 ,  4G146AD25 ,  4G146AD29 ,  4G146AD30 ,  4G146BA22 ,  4G146BA24 ,  4G146BB07 ,  4G146BB10 ,  4G146BB15 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC25 ,  4G146BC26 ,  4G146BC27 ,  4G146BC34B ,  4G146BC37B ,  4G146BC38B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146CA02 ,  5F151AA11 ,  5F151FA06 ,  5F151FA13 ,  5F151FA15 ,  5F151FA18 ,  5G323AA03 ,  5H018BB01 ,  5H018DD08 ,  5H018EE02 ,  5H018EE03 ,  5H018EE04 ,  5H018EE05 ,  5H018EE06 ,  5H018EE11 ,  5H018EE12 ,  5H018HH03 ,  5H018HH08 ,  5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA14 ,  5H050CB07 ,  5H050DA04 ,  5H050DA10 ,  5H050EA08 ,  5H050GA02 ,  5H050GA12 ,  5H050GA22 ,  5H050HA04 ,  5H050HA14
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
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