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J-GLOBAL ID：202003011709727945

セラミックス/アルミニウム接合体、パワーモジュール用基板、及び、パワーモジュール

Inventor： 黒光 祥郎 ,  秋山 和裕 ,  長瀬 敏之 ,  長友 義幸 ,  寺▲崎▼ 伸幸 ,  幾原 雄一 ,  柴田 直哉 ,  熊本 明仁
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
Agent (5)： 松沼 泰史 ,  志賀 正武 ,  寺本 光生 ,  細川 文広 ,  大浪 一徳
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015218892
Publication number (International publication number)：2017088439
Patent number：6656657
Application date： Nov. 06, 2015
Publication date： May. 25, 2017
Claim (excerpt)：

【請求項1】 AlNからなるセラミックス部材と、アルミニウム部材とが接合されてなるセラミックス/アルミニウム接合体であって、 前記アルミニウム部材のうち前記セラミックス部材との接合界面から厚さ方向に2μmの範囲内における、電子回折図形からスピネル構造と同定され、かつ、組成がMg=6〜12at%,O=30〜60at%,Al=残部であるMg含有酸化物の面積率が2.9%以上17.9%以下の範囲内とされており、 前記アルミニウム部材のうち前記セラミックス部材との接合界面近傍領域に、Mg,Si,Oが偏析した偏析部を有し、 前記偏析部におけるMg量[Mg]S,Si量[Si]S,O量[O]Sと、接合界面から前記アルミニウム部材側に10μm離間した位置におけるMg量[Mg]I,Si量[Si]I,O量[O]I、との比が、それぞれ、 1<[Mg]S/[Mg]I≦15, 1<[Si]S/[Si]I≦25, 1<[O]S/[O]I≦25 の範囲内とされるとともに、接合界面から前記アルミニウム部材側に10μm離間した位置におけるMg量[Mg]Iが0.8mass%以下とされていることを特徴とするセラミックス/アルミニウム接合体。

IPC (3)：

C04B 37/02 ( 200 6.01) ,  H01L 23/12 ( 200 6.01) ,  H01L 23/36 ( 200 6.01)

FI (3)：

C04B 37/02 B ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-021894   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及び、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-083247   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱アルミニウム株式会社