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J-GLOBAL ID：202003012932765146
オゾン水の製造法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
特許業務法人KEN知財総合事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019529293
Patent number：6635459
Application date： Apr. 26, 2019
Summary：
【課題】従来のオゾン水では、今日の半導体の製造分野で要請されているレジストの除去速度・洗浄力がまだ不十分であり、食材の洗浄、加工設備・器具の洗浄、手指の洗浄などの分野、更には、消臭・脱臭・除菌・食材の鮮度保持などの分野においても殺菌・除菌・消臭・脱臭・洗浄効果のより一層の向上の期待にも十分応えていない。
【解決手段】上記課題は、オゾン水の製造におけるある特定の複数の製造パラメータの値をある特定範囲に規定することで解決できる。
【選択図】図1
Claim (excerpt)：
【請求項1】A工程:純水に塩酸、酢酸、クエン酸の少なくとも一種を添加してpHを所定値(pH)に調整された溶液Aを用意する工程
B工程:所定の供給流量(Fo)と所定の供給圧(Po)とで供給されるオゾンガスを、所定の供給流量(Fw)と所定の供給圧(Pw)とで供給される溶液Aに溶解して溶液Bを生成する工程
C工程:生成されるオゾン水の液温が所定の温度になるように、前記純水、前記溶液A及び前記溶液Bの何れかを加熱する工程
を備えたオゾン水の生成法であって、
(1)A工程におけるpHの所定値(pH)を、4以下とし、
(2)前記オゾンガスの濃度(N) (g/Nm3)を、
200g/Nm3≦Nの範囲とし、
(3)Po,Pwを、
0.15MPa≦Po≦0.695MPa、
0.1MPa≦Pw≦0.7MPa、
の範囲とし、且つ、
(Pw-Po)の値を、
0.005MPa≦(Pw -Po)≦0.2MPa、
の範囲とし、
Po,Pwの関係を、Po<Pw
とし、
(4)Fo、Fwを、
0.25NL/min≦Fo≦80NL/min
0.5L/min≦Fw≦40L/min
の範囲とし、
(5)C工程における所定の温度を60°C〜90°C
の範囲とし、
(6)C工程を、少なくともB工程の前または後の、若しくは同時を含むタイミングで実施する
ことを特徴とするオゾン水の製造法。
IPC (4)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, G03F 7/42 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
, C02F 1/78 ( 200 6.01)
H01L 21/304 647 Z
, H01L 21/304 648 K
, H01L 21/304 648 G
, G03F 7/42
, H01L 21/30 572 B
, C02F 1/78
Cited by applicant (3)
Cited by examiner (3)
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