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J-GLOBAL ID：200903072298415280

加熱オゾン水の製造方法

Inventor： 自在丸 隆行 ,  江草 一智
Applicant, Patent owner： 野村マイクロ・サイエンス株式会社
Agent (4)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008151157
Publication number (International publication number)：2009297588
Application date： Jun. 10, 2008
Publication date： Dec. 24, 2009
Summary：

【課題】高濃度オゾン水中のオゾン濃度の減衰を抑制して、オゾン濃度の高い加熱オゾン水を効率的に製造することができる加熱オゾン水の製造方法を提供する。【解決手段】純水又は炭酸ガス含有純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を加熱する加熱オゾン水の製造方法において、オゾン水を、液体を加熱媒体とする熱交換手段2により昇温速度6.0〜10.0°C/秒で60〜90°Cに加熱する加熱オゾン水の製造方法。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

純水又は炭酸ガス含有純水にオゾンガスを溶解させたオゾン水を加熱する加熱オゾン水の製造方法において、 前記オゾン水を、液体を加熱媒体とする熱交換手段により昇温速度6.0〜10.0°C/秒で60〜90°Cに加熱することを特徴とする加熱オゾン水の製造方法。

IPC (5)：

B08B 3/08 ,  B08B 3/10 ,  H01L 21/304 ,  G03F 7/42 ,  C02F 1/78

FI (5)：

B08B3/08 Z ,  B08B3/10 Z ,  H01L21/304 647Z ,  G03F7/42 ,  C02F1/78

F-Term (30)：

2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201BB82 ,  3B201BB93 ,  3B201BB98 ,  3B201CD43 ,  4D050AA01 ,  4D050BB02 ,  4D050BC01 ,  4D050BD04 ,  4D050BD08 ,  4D050CA13 ,  5F157AA64 ,  5F157AA93 ,  5F157BB66 ,  5F157BC13 ,  5F157BC41 ,  5F157BD33 ,  5F157BE12 ,  5F157CE36 ,  5F157CF04 ,  5F157CF34 ,  5F157CF60 ,  5F157CF62 ,  5F157CF99 ,  5F157DB02 ,  5F157DB12 ,  5F157DC86

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体ウエハのオゾン水洗浄システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-226058   Applicant：沖電気工業株式会社
• オゾン水の加熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-291663   Applicant：日鉄化工機株式会社, ワッカー・エヌエスシーイー株式会社

Cited by examiner (3)

• オゾン-溶媒溶液を用いた基体の処理方法及び処理装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-531742   Applicant：フィファー・スミス・コーポレーション
• 凝縮装置洗浄方法及びその方法を用いた溶液製膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-166709   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 洗浄方法、洗浄装置ならびに半導体装置の製造方法およびアクティブマトリックス型表示装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-036306   Applicant：株式会社東芝