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J-GLOBAL ID：202003014058643038

窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板及び光半導体デバイス

Inventor：
林 侑介

About 林 侑介

, 
三宅 秀人

About 三宅 秀人

, 
上杉 謙次郎

About 上杉 謙次郎


Applicant, Patent owner：
国立大学法人三重大学

About 国立大学法人三重大学


Agent (1)： 新居 広守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019037838
Publication number (International publication number)：2020139222
Application date： Mar. 01, 2019
Publication date： Sep. 03, 2020
Summary：
【課題】劈開面を利用でき、かつ、結晶性の高い窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板及び光半導体デバイスを提供する。【解決手段】スパッタ装置100内にa面サファイア基板11を準備する第1工程(S21)と、スパッタ装置100内に成膜材料であるAlを含むターゲット107を準備する第2工程(S22)と、400°C以上1000°C以下の温度で保ちながらターゲット107をスパッタリングすることにより、AlN層12をa面サファイア基板11のa面上に成膜する第3工程(S23)とを有する窒化物半導体基板10の製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
スパッタ装置内にa面サファイア基板を準備する第1工程と、 前記スパッタ装置内に成膜材料であるAlを含むターゲットを準備する第2工程と、 400°C以上1000°C以下の温度で保ちながら前記ターゲットをスパッタリングすることにより、AlN層を前記a面サファイア基板のa面上に成膜する第3工程とを有する 窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (7)：
C23C 14/06 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/38 ,  C30B 33/02 ,  C23C 14/58 ,  G02F 1/355 ,  G02F 1/377
FI (7)：
C23C14/06 A ,  C30B23/08 P ,  C30B29/38 C ,  C30B33/02 ,  C23C14/58 A ,  G02F1/355 ,  G02F1/377
F-Term (39)：
2K102AA08 ,  2K102AA32 ,  2K102BA18 ,  2K102BB02 ,  2K102BC01 ,  2K102CA28 ,  2K102DA05 ,  2K102DA10 ,  2K102DA20 ,  2K102DD03 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA11 ,  4G077DA14 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EH01 ,  4G077FE11 ,  4G077FE19 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SB01 ,  4G077SB03 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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