Pat
J-GLOBAL ID:202003014058643038

窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板及び光半導体デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 新居 広守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2019037838
Publication number (International publication number):2020139222
Application date: Mar. 01, 2019
Publication date: Sep. 03, 2020
Summary:
【課題】劈開面を利用でき、かつ、結晶性の高い窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板及び光半導体デバイスを提供する。【解決手段】スパッタ装置100内にa面サファイア基板11を準備する第1工程(S21)と、スパッタ装置100内に成膜材料であるAlを含むターゲット107を準備する第2工程(S22)と、400°C以上1000°C以下の温度で保ちながらターゲット107をスパッタリングすることにより、AlN層12をa面サファイア基板11のa面上に成膜する第3工程(S23)とを有する窒化物半導体基板10の製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
スパッタ装置内にa面サファイア基板を準備する第1工程と、 前記スパッタ装置内に成膜材料であるAlを含むターゲットを準備する第2工程と、 400°C以上1000°C以下の温度で保ちながら前記ターゲットをスパッタリングすることにより、AlN層を前記a面サファイア基板のa面上に成膜する第3工程とを有する 窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (7):
C23C 14/06 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/38 ,  C30B 33/02 ,  C23C 14/58 ,  G02F 1/355 ,  G02F 1/377
FI (7):
C23C14/06 A ,  C30B23/08 P ,  C30B29/38 C ,  C30B33/02 ,  C23C14/58 A ,  G02F1/355 ,  G02F1/377
F-Term (39):
2K102AA08 ,  2K102AA32 ,  2K102BA18 ,  2K102BB02 ,  2K102BC01 ,  2K102CA28 ,  2K102DA05 ,  2K102DA10 ,  2K102DA20 ,  2K102DD03 ,  4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077BE13 ,  4G077DA11 ,  4G077DA14 ,  4G077EA02 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EH01 ,  4G077FE11 ,  4G077FE19 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4G077SB01 ,  4G077SB03 ,  4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029DC40 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

Return to Previous Page