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J-GLOBAL ID：202102216788093958   Reference number：21A0326228

GaN-based MIS-HEMTs with Mist Chemical Vapor Deposited Al₂O₃

Mist-CVD法によるAl₂O₃絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

Author (10)： LOW Rui Shan (福井大 大学院工学研究科) ,  NAGASE ITSUKI (福井大 大学院工学研究科) ,  BARATOV Ali (福井大 大学院工学研究科) ,  ASUBAR Joel T. (福井大 大学院工学研究科) ,  TOKUDA HIROKUNI (福井大 大学院工学研究科) ,  KUZUHARA MASAAKI (関西学院大 理工) ,  YATABE ZENJI (熊本大 大学院自然科学研究部) ,  NAITO KENTA (熊本大 大学院自然科学研究部) ,  MOTOYAMA TOMOHIRO (熊本大 大学院自然科学研究部) ,  NAKAMURA YUSUI (熊本大 大学院自然科学研究部)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
Volume： 120  Issue： 254(ED2020 1-26)  Page： 49-52 (WEB ONLY)  Publication year： Nov. 19, 2020 
JST Material Number： U2030A  ISSN： 2432-6380  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *HEMT ,  *MIS structure ,  *electrical characteristic ,  chemical vapor deposition ,  mist(pollutant) ,  gallium nitride ,  aluminum compound ,  gallium compound ,  nitride ,  aluminum oxide ,  insulating film ,  leakage current ,  capacitance-voltage characteristic ,  current-voltage characteristic

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Reference (6)：

• M. Kuzuhara, J. T. Asubar, and H. Tokuda, Jpn. J. Appl. Phys. 55,070101(2016).
• Z. Yatabe, J. T. Asubar, and T. Hashizume, J. Phys. D: Appl. Phys. 49, 393001 (2016).
• C. Y. Yan and D. A. Dornfeld, J. Manuf. Sci. Eng. 32 030918 (2010).
• Z. Yatabe, K. Nishiyama, T. Tsuda, K. Nishimura, and Y. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 070905 (2019).
• Y. Hori, C. Mizue1, and T. Hashizume, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 080201 (2010).

Terms in the title (9)： MISt ,  CVD法 ,  Al2O3 ,  絶縁膜 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HEMT ,  電気特性