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J-GLOBAL ID：202102268652400969   Reference number：21A0057952

Change of Field Emission Characteristic of Sandblasted Si Surface by Size of Sandblasting Fine Particles

サンドブラストによるSi表面凹凸構造からの電界放射特性の吹き付け微粒子サイズによる変化

Author (2)： YOSHIMOTO TOMOMI (東洋大 理工) ,  IWATA TATSUO (三重大 大学院工学研究科)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C(Web)
Volume： J103-C  Issue： 12  Page： 496-498 (WEB ONLY)  Publication year： Dec. 01, 2020 
JST Material Number： U0472A  ISSN： 1881-0217  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： blast cleaning ,  surface structure ,  wafer ,  fine particle ,  silicon carbide ,  *radiation characteristic ,  *field emission ,  voltage ,  *electron source ,  sand blasting ,  convex and concave structure ,  threshold voltage ,  Si wafer ,  cleaning (purification) ,  cleaning (washing) ,  structure
Semi thesaurus term： silicon substrate

JST classification (1)： Electron and ion sources  (BD02020U)

Reference (9)：

• 後藤康仁,“フィールドエミッタアレイの新しい応用技術 ~耐熱・耐放射線素子や光源応用に向けて~,” J. Vac. Soc. Jpn., vol.60, no.2, pp.25-33, 2017.
• 伊藤順司,金丸正剛,松川貴族,“真空マイクロエレクトロニクスの展望,” 信学論(C-1),vol.J82-C-I, no.5, pp.249-259, May 1999.
• G. Sotgiu and L. Schirone, “Microstructured silicon surfaces for field emission devices,” Applied Surface Science, vol.240, pp.424-431, 2004.
• 長尾昌善,“微細加工で作るフィールドエミッタアレイ ~新しい応用に向けて~,” J. Vac. Soc. Jpn., vol.60, no.2, pp.17-24, 2017.
• C.-K. Huang, H.L. Andrews, R.C. Baker, R.L. Fleming, D. Kim, T.J.T. Kwan, A. Piryatinski, V. Pavlenko, and E.I. Simakov, “Modeling of diamond field emitter arrays for a compact source of high brightness electron beams,” J. Appl. Phys., vol.125, 164501, 2019.

Terms in the title (7)： サンドブラスト ,  Si ,  表面凹凸 ,  電界 ,  放射特性 ,  吹き付け ,  微粒子サイズ