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J-GLOBAL ID：202103003542794569

アプタマー固定化半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法

Inventor： 逢坂 哲彌 ,  大橋 啓之 ,  黒岩 繁樹 ,  林 宏樹
Applicant, Patent owner： 学校法人早稲田大学
Agent (1)： 特許業務法人英明国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019204856
Publication number (International publication number)：2021076529
Application date： Nov. 12, 2019
Publication date： May. 20, 2021
Summary：

【課題】電界効果トランジスタを用いて簡便かつ高感度に非荷電分子を検出することを可能にする半導体センシングデバイス及び非荷電分子の検出方法を提供する。【解決手段】プローブ分子としてアプタマーが固定化された検出部を有する電界効果トランジスタを備えるアプタマー固定化半導体センシングデバイスであって、前記アプタマーが、高次構造を形成した状態で検出部に固定化され、その後、前記高次構造を解消したものであるアプタマー固定化半導体センシングデバイス。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

プローブ分子としてアプタマーが固定化された検出部を有する電界効果トランジスタを備えるアプタマー固定化半導体センシングデバイスであって、 前記アプタマーが、高次構造を形成した状態で検出部に固定化され、その後、前記高次構造を解消したものであるアプタマー固定化半導体センシングデバイス。

IPC (3)：

G01N 27/414 ,  G01N 33/566 ,  G01N 33/53

FI (4)：

G01N27/414 301V ,  G01N33/566 ,  G01N27/414 301K ,  G01N33/53 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体センシングデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-084200   Applicant：学校法人早稲田大学
• 半導体センシングデバイスおよびその製造方法と、該デバイスを有してなるセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-278203   Applicant：学校法人早稲田大学

Cited by examiner (2)

• 半導体センシングデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-084200   Applicant：学校法人早稲田大学
• 半導体センシングデバイスおよびその製造方法と、該デバイスを有してなるセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-278203   Applicant：学校法人早稲田大学

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• FETバイオセンサによる非電荷分子検出の感度向上を目的としたターゲット-アプタマー複合体を用いた認識

Cited by examiner (1)

• FETバイオセンサによる非電荷分子検出の感度向上を目的としたターゲット-アプタマー複合体を用いた認識