強磁性トンネル接合体、それを用いたスピントロニクスデバイス、及び強磁性トンネル接合体の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：日向寺雅彦 , 小崎純一 , 市川浩 , 竹内功
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019525389
Patent number：6857421
Application date： Jun. 08, 2018
Claim (excerpt)：

【請求項1】第1磁性層と第2磁性層との間に設けられたトンネルバリア層を有する強磁性トンネル接合体であって、前記トンネルバリア層は第1絶縁層と第2絶縁層の積層構造からなる配向した結晶体であって、前記第1絶縁層はMg1-xXx(0≦x≦0.15)の酸化物からなり、XはAl、Tiの群から選ばれた少なくとも1つ以上の元素から構成され、前記第1絶縁層の厚さは0.05nm以上1.2nm以下であり、前記第2絶縁層は結晶性であり且つMg、Al、Zn、Liの群から選ばれた少なくとも2つ以上の元素から構成される合金の酸化物からなり、前記第1絶縁層の前記厚さと前記第2絶縁層の厚さとの合計は0.6nm以上3nm以下であり、前記第1磁性層と前記第2磁性層がいずれも、CoとFeの群から選ばれた少なくとも1つ以上の元素とBから構成される合金からなる強磁性トンネル接合体。

IPC (10)：

G11B 5/39 ( 200 6.01) , H01L 21/8239 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01) , H01L 43/08 ( 200 6.01) , H01L 43/10 ( 200 6.01) , G01R 33/09 ( 200 6.01) , H01F 10/14 ( 200 6.01) , H01F 10/16 ( 200 6.01) , H01F 10/30 ( 200 6.01) , H01F 10/32 ( 200 6.01)

FI (10)：

G11B 5/39 , H01L 27/105 447 , H01L 43/08 P , H01L 43/08 Z , H01L 43/10 , G01R 33/09 , H01F 10/14 , H01F 10/16 , H01F 10/30 , H01F 10/32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

磁気抵抗素子および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-050858 Applicant：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学
特許第6103123号
磁性材料、この磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子、およびこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-028508 Applicant：三菱電機株式会社, 猪俣浩一郎

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Cited by examiner (4)

磁気抵抗素子および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-050858 Applicant：株式会社東芝, 国立大学法人東北大学
特許第6103123号
磁性材料、この磁性材料を用いた磁気抵抗効果素子、およびこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気デバイス
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